[发明专利]硅酸铪氮氧化合物制作方法无效
| 申请号： | 201210120226.6 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377874A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅酸 氧化 制作方法 | ||
1.一种硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)以原子层沉积法，形成氮化铪层；
(b)以原子层沉积法，沉积氧化硅层在所述氮化铪层上；以及
(c)重复以上(a)～(b)步骤，以交互沉积的方式，形成所述氮化铪层与所述氧化硅层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之间。
2.根据权利要求1所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述硅酸铪氮氧化合物是形成在基板上。
3.根据权利要求1所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述沉积氮化铪层的方法包括依次进行：
在腔体内，通入第一前驱物；
在所述腔体内，通入惰性气体；
在所述腔体内，通入氨气；以及
在所述腔体内，再次通入所述惰性气体。
4.根据权利要求3所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述第一前驱物为四双(乙基甲基氨基)铪。
5.根据权利要求3所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述惰性气体为氩气。
6.根据权利要求1所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述沉积氧化硅层的方法包括依次进行：
在腔体内，通入第二前驱物；
在所述腔体内，通入惰性气体；
在所述腔体内，通入臭氧；以及
在所述腔体内，再次通入所述惰性气体。
7.根据权利要求6所述的硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于所述第二前驱物为四双(乙基甲基氨基)硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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