[发明专利]渐亮渐灭延时照明灯无效
申请号: | 201210120230.2 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN102665336A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 黄宇嵩 | 申请(专利权)人: | 黄宇嵩 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 渐亮渐灭 延时 照明灯 | ||
技术领域
本发明属于电子应用技术领域,是关于一种渐亮渐灭延时照明灯。
背景技术
常见的延时照明灯其典型的工作方式:一般是照明灯在点亮后工作一段时间后自动熄灭,照明灯要么点亮,要么熄灭,照明灯的亮与灭中间亮度没有过度状态。这种工作方式尤其在夜间漆黑的环境条件下,照明灯突然点亮或者突然熄灭对人的眼睛影响非常突出。能不能设计一种照明灯在开启时慢慢地亮起,照明灯在关闭时慢慢地熄灭。若实现这样的工作方式,一来符合人们眼睛的适应性需要;二来可以有效延长白炽灯的使用寿命,白炽灯渐亮渐灭尤其适合在夜间市电电压过高的情况下工作。
以下详细说明这种渐亮渐灭延时照明灯在实施过程中所涉及的有关技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:常见的延时照明灯其典型的工作方式:一般是照明灯在点亮后工作一段时间后熄灭,照明灯要么点亮,要么熄灭,照明灯的亮与灭中间亮度没有过度状态。这种工作方式尤其在夜间漆黑的环境条件下,照明灯突然点亮或者突然熄灭对人的眼睛影响非常突出。本发明是一种照明灯在开启时慢慢地亮起,照明灯在关闭时慢慢地熄灭。实现这样的工作方式优点是:一来符合人们眼睛的适应性需要;二来可以有效延长白炽灯的使用寿命,白炽灯渐亮渐灭尤其适合在夜间市电电压过高的情况下工作。
电路工作原理:渐亮渐灭延时照明灯电路的右侧部分由单向可控硅SCR、触发二极管KS和电阻R3、电阻R2、电容C2、电阻R1组成。当电容C2充电电压达到触发二极管KS的触发电压35V时,触发二极管KS击穿产生触发脉冲,使单向可控硅SCR导通,白炽灯HA就会有电流通过。
延迟电路由电阻R1、电解电容C1组成时常数为10~20s的充电电路,它可使电容C2通过电阻R2的电流随电容C2上的电压上升而增大,从而使电容C2达到触发二极管KS触发电压的时间就会从8ms逐渐减少到1ms,从而使通过白炽灯HA的电压导通角由30,逐渐增大到165。这个导通时间大约需要10s,在这个过程中白炽灯HA逐渐被点亮。电容C2的值越大,延迟时间越长;电阻R4、硅整流二极管D5保证每当单向可控硅SCR导通时电容C2放电到2V时,单向可控硅SCR电压过零关断后,电容C2重新开始充电。瞬变抑制二极管DW两端的电压在低于30V时不给电解电容C1充电,以避免白炽灯HA开始通电等待时间过长。
当断开启动开关SW后,由电解电容C1通过电阻R2给电容C2充电,使得单向可控硅SCR还能导通,随着电解电容C1电压的逐渐下降,单向可控硅SCR导通角逐渐减小,白炽灯HA亮度随之逐渐变暗,直至电路关闭。
技术方案:渐亮渐灭延时照明灯,它包括220V交流电、全桥整流电路、启动及延迟电路、单向可控硅触发及控制电路、单向可控硅电压过零保证电路,其特征在于:
启动及延迟电路:由启动开关SW、电阻R1、瞬变抑制二极管DW、电解电容C1组成,启动开关SW的一端接电路正极VCC,启动开关SW的另一端接瞬变抑制二极管DW的负极,瞬变抑制二极管DW的正极接电解电容C1的正极,电解电容C1的负极接电路地GND;
单向可控硅触发及控制电路:由电阻R2、电容C2、电阻R3、双向触发二极管KS和单向可控硅SCR、白炽灯HA组成,电阻R2的一端接瞬变抑制二极管DW的负极,电阻R2的另一端接电容C2的一端和电阻R3的一端,电阻R3的另一端接双向触发二极管KS的一端,双向触发二极管KS的另一端接单向可控硅SCR的控制极,电容C2的另一端和单向可控硅SCR的阴极接电路地GND,单向可控硅SCR的阳极串接白炽灯HA后接电路正极VCC;
单向可控硅电压过零保证电路:由硅整流二极管D5和电阻R4组成,硅整流二极管D5的正极接电阻R2的右端和电阻R3的左端,硅整流二极管D5的负极接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接单向可控硅SCR的阳极。
全桥整流电路:由4只硅整流二极管D1~D4组成整流电路,全桥整流电路的直流电正极输出端接电路正极VCC,全桥整流电路的直流电负极输出端与电路地GND相连,全桥整流电路交流电的两个输入端分别接220V交流电的火线端L和220V交流电的零线端N。
附图说明
附图1是本发明提供的渐亮渐灭延时照明灯一个实施例的电路工作原理图。
具体实施方式
按照附图1所示渐亮渐灭延时照明灯的电路工作原理图和附图说明及以下所述的元器件的技术要求进行实施,即可实现本发明。
元器件的选择及其技术参数
D1~D5为硅整流二极管,型号用IN4004;
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