[发明专利]光栅的制作方法

权利要求书

1.一种光栅的制作方法，该方法包括：

在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、无定形碳硬掩膜层和光阻胶层；

将光罩上的光栅图形转移到光阻胶层上，形成图案化的光阻胶层；所述光罩上的光栅图形具有预定的间距；

以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀无定形碳硬掩膜层至显露出刻蚀终止层；无定形碳硬掩膜层经过刻蚀后具有与光罩上的光栅图形相应的间距；

去除光阻胶层后，沉积氧化硅层并回刻所述氧化硅层，使氧化硅层填充在经过刻蚀的无定形碳硬掩膜层两侧的空间位置，其高度与无定形碳硬掩膜层相同；

灰化去除所述无定形碳硬掩膜层；

沉积金属并对其进行化学机械研磨，形成填充在氧化硅层两侧的金属线，其高度与无定形碳硬掩膜层相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀无定形碳硬掩膜层采用氧气、氮气以及溴化氢的混合气体，或者其中任意两种气体的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，灰化去除所述无定形碳硬掩膜层在灰化反应腔或者干法刻蚀反应腔内进行，其中氧气的流量为100～1000标准立方厘米每分钟，反应腔内压力为20～200毫托，功率为100～1000瓦，反应时间为10～300秒，灰化温度为50～250摄氏度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形碳硬掩膜层采用化学气相沉积方法形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线为铝线。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化硅层为采用正硅酸乙酯TEOS制备的层。