[发明专利]处理基材的设备和方法

权利要求书

1.一种处理基材的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室提供在其内进行处理工艺的内部空间，所述腔室具有敞开的上侧；

设置在所述腔室内的基座，所述基座在上表面中具有多个保持件安置槽，其中在每个保持件安置槽中限定有注入孔；

用于使所述基座旋转的旋转轴；

在其上放置基材的基材保持件，所述基材保持件插到每个保持件安置槽中；

用于加热所述基座的加热器；

与所述注入孔连接的气体供应管线，用于将气体供应到所述注入孔；

设置在所述气体供应管线上的流量调节器，用于调节气体的流量；

检测元件，用于检测放置在所述基材保持件上的每个基材的状态；和

控制单元，用于根据由所述检测元件检测到的状态来控制所述流量调节器。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述状态是每个基材的温度。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述状态是沉积在每个基材上的薄膜的厚度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的设备，其中所述保持件安置槽相对于所述基座的中心轴线排列成圆环形状。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述检测元件设置在所述保持件安置槽的旋转轨迹上的任何位置的正上方。

6.如权利要求2所述的设备，其中，当所述各基材中一个基材的温度高于其他基材的温度时，所述控制单元增大供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量，和

当所述各基材中一个基材的温度低于其他基材的温度时，所述控制单元减小供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量。

7.如权利要求3所述的设备，其中，当沉积在所述各基材中一个基材上的薄膜的厚度大于沉积在其他基材上的薄膜的厚度时，所述控制单元增大供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量，和

当沉积在所述各基材中一个基材上的薄膜的厚度小于沉积在其他基材上的薄膜的厚度时，所述控制单元减小供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量。

8.一种处理基材的方法，所述方法包括：

将在其上放置基材的基材保持件插到形成在基座的上表面中的多个保持件安置槽的每一个中；

通过形成在所述保持件安置槽中的注入孔注入气体，以使所述基材保持件旋转，并且使所述基座旋转；

检测放置在所述基材保持件上的基材的状态；和

根据检测到的状态调节注入到所述基材保持件上的气体的流量。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述的状态检测包括测量放置在所述基材保持件上的基材的温度。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述的状态检测包括测量沉积在放置于所述基材保持件上的基材上的薄膜的厚度。

11.如权利要求9所述的方法，其中，在调节流量时，当所述各基材中一个基材的温度高于其他基材的温度时，增大供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量，和

当所述各基材中一个基材的温度低于其他基材的温度时，减小供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量。

12.如权利要求10所述的方法，其中，在调节流量时，当沉积在所述各基材中一个基材上的薄膜的厚度大于沉积在其他基材上的薄膜的厚度时，增大供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量，和

当沉积在所述各基材中一个基材上的薄膜的厚度小于沉积在其他基材上的薄膜的厚度时，减小供应到放置所述这个基材的基材保持件上的气体的流量。

13.一种处理基材的方法，所述方法包括：

在基座的上表面中形成多个保持件安置槽，其中将在其上放置基材的基材保持件插到每个保持件安置槽中；

在每个保持件安置槽中形成注入孔，通过所述注入孔注入气体，以使所述基材保持件旋转；和

将通过所述注入孔注入的气体以彼此不同的流量供应到全部或一部分保持件安置槽。

14.如权利要求13所述的方法，其中通过所述注入孔注入的气体的流量根据放置在插到每个保持件安置槽中的基材保持件上的基材的状态而不同。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述状态根据测得的每个基材的温度而不同。