[发明专利]电磁波检测元件

权利要求书

1.一种间接转换型辐射图像检测器，所述间接转换型辐射图像检测器包括：

闪烁体，所述闪烁体将辐射转换为光；

多个像素，所述多个像素各自包括传感器部分和开关元件，并且所述多个像素以二维形式设置，所述传感器部分中的每一个具有：

半导体层，所述半导体层由于被转换的光的照射而产生电荷，

第一电极，所述第一电极由对电磁波具有透射性的导电性构件在所述半导体层的被辐照所述电磁波的辐照表面侧形成，所述第一电极对所述半导体层施加偏压，和

第二电极，所述第二电极形成在所述半导体层的相对于所述电磁波的非辐照表面侧，所述第二电极收集在所述半导体层产生的电荷；

多个共电极线，所述多个共电极线形成在所述传感器部分的电磁波下游侧，所述多个共电极线中的至少一个连接至所述第一电极，并且提供所述偏压；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被设置在所述传感器部分与所述共电极线之间，并且所述第一绝缘膜使所述传感器部分与所述共电极线绝缘；

多个接触孔，所述多个接触孔形成于所述第一绝缘膜中；和

多个接触件，所述多个接触件各自的一端分别经由所述接触孔中的一个连接至所述第一电极中的一个，并且另一端连接至所述共电极线。

2.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述共电极线在所述第二电极的电磁波下游侧形成，并且

其中所述共电极线对所述第一电极施加所述偏压。

3.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述第一绝缘膜还使所述开关元件与所述传感器部分绝缘。

4.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述第二电极大于所述半导体层。

5.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述第一电极经由连接区域与其它相邻第一电极电连接。

6.权利要求5所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述连接区域由对于所述电磁波具有透射性的导电性构件形成。

7.权利要求5所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述第一电极与沿着信号线相邻的其它第一电极连接。

8.权利要求5所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述第一电极与沿着扫描线相邻的其它第一电极连接。

9.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，其中所述共电极线平行于多个信号线中的一个而形成。

10.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，所述间接转换型辐射图像检测器还包括多个扫描线，所述多个扫描线由布线层形成，所述布线层经由第二绝缘膜在形成有所述共电极线的布线层的电磁波下游侧形成，

其中在形成有所述扫描线的区域的辐照表面侧的位置，在所述第一绝缘膜中形成所述接触孔。

11.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，所述间接转换型辐射图像检测器还包括多个扫描线和多个信号线，

其中所述多个扫描线、所述多个信号线和所述多个共电极线分别在不同的布线层形成。

12.权利要求1所述的间接转换型辐射图像检测器，

其中所述开关元件是TFT开关，

其中所述半导体层被设置成与多个扫描线中的一个和多个信号线中的一个的相应交叉部分对应，所述多个扫描线中的一个和所述多个信号线中的一个被设置成彼此相交，

其中所述TFT开关连接至所述多个信号线中的一个以及所述多个扫描线中的一个，

其中所述多个扫描线中的一个使所述TFT开关接通/断开，并且

其中所述TFT开关将所述半导体层中产生的所述电荷读出至所述多个信号线中的一个。