[发明专利]一种制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201210120753.7 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102627274A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;龚谦;谢晓明;王海龙;狄增峰;丁古巧;柳庆博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 方法 | ||
1.一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：
(1)选取适当的材料作为衬底；
(2)在衬底表面直接沉积CBr4；
(3)对步骤2所得的样品进行退火处理。
2.如权利要求1所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤2中，在衬底表面还直接沉积催化剂。
3.如权利要求2所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述CBr4和催化剂的沉积方式为同时沉积、按任意次序先后沉积或按任意次序交替沉积一次以上，所述各沉积方式中CBr4总的沉积量为3.8E7-3.8E9分子/μm2，催化剂总的沉积量为1.7E7-1.7E9原子/μm2。
4.如权利要求3所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述沉积CBr4和催化剂的方法为分子束外延或者化学气相沉积。
5.如权利要求4所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述CBr4和催化剂的沉积温度为10-600℃。
6.如权利要求5所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述催化剂为Ga。
7.如权利要求6所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，沉积时Ga炉的温度为800-1200℃，CBr4的压强为0.08-0.15Torr。
8.如权利要求1所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述衬底材料选自金属、半导体或绝缘体。
9.如权利要求8所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述衬底材料选自硅、锗、氧化硅和蓝宝石。
10.如权利要求1所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，所述退火处理的方法为：将温度升至650-720℃退火，退火时间为5-180分钟，结束后，将衬底温度降至室温。
11.如权利要求1所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，在所述步骤(1)前，所述衬底材料还需要作脱氧和退火处理。
12.如权利要求11所述的制备石墨烯的方法，其特征在于，衬底材料的脱氧温度为400-700℃，衬底材料的退火处理的温度为600-750℃。
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