[发明专利]一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法无效
| 申请号： | 201210121671.4 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102628180A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 范家骅;刘文兵;杜万毅;黄殿军 | 申请（专利权）人： | 南京金美镓业有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/04 | 分类号： | C30B28/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 211165 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 磷化 多晶 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其特征在于如下步骤：在高压炉中设置坩埚，将高纯度铟置于坩埚中，高纯度无水氧化硼覆盖在高纯度铟之上；将高纯度磷蒸汽注入熔化的高纯度铟中，在高纯度无水氧化硼覆盖下，直接合成磷化铟；用引上杆将磷化铟多晶从磷化铟熔体中以棒状形状引出，高温时粘稠的氧化硼粘覆在磷化铟多晶棒表面，防止了磷化铟多晶棒在高温下分解，保证了磷化铟中磷和铟的化学计量比。
2.根据权利要求1所述的高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其特征在于：坩埚采用高纯度热解氮化硼制成。
3.根据权利要求1所述的高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其特征在于：磷化铟多晶棒质地致密均匀，室温电子迁移率稳定在3400~4700cm3/v.s，载流子浓度2.0~5.9×1015/cm3。
4.根据权利要求1所述的高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其特征在于：高纯度无水氧化硼的含水量﹤300ppm。
5.根据权利要求1所述的高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其特征在于：高压炉内充入氩气，炉内压力为4.0~5.0MPa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京金美镓业有限公司，未经南京金美镓业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210121671.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法
- 下一篇：手术器械
