[发明专利]用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法

权利要求书

1.一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头，用于向衬底提供反应气体，其特征在于，所述喷淋头具有端口，所述端口具有与之对应设置的窗口透明板，所述窗口透明板作为观察通道或测试通道，通过所述窗口透明板对化学气相沉积工艺进行监控，所述窗口透明板与端口之间通有吹扫气体，所述吹扫气体用于防止反应气体在窗口透明板上发生化学反应或物理沉积。

2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述吹扫气体为氮气、氢气或两者的混合。

3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头上还具有通孔，所述窗口透明板与端口之间还通有反应气体，使得所述端口处的反应气体的组分、流量密度与所述通孔处的反应气体的组分、流量密度一致。

4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头应用于MOCVD工艺，所述反应气体为氨气。

5.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述端口的面积为所述通孔面积的1～20倍。

6.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述窗口透明板用于使得原位测试装置的光学信号通过，所述原位测试装置用于测试的参数包括衬底上的外延材料层的生长速率、厚度、粗糙度、组分、温度、反射率、翘曲度中的一个或多个。

7.一种改善化学气相沉积工艺的均匀性的方法，所述化学气相沉积工艺利用具有端口、通孔的喷淋头进行，且所述端口具有与之对应设置的窗口透明板，所述窗口透明板作为观察通道或测试通道，其特征在于，在进行化学气相沉积工艺时，在所述窗口透明板和端口之间通入吹扫气体和反应气体，所述端口处的反应气体的组分、流量密度与通孔处的反应气体的组分、流量密度一致。

8.如权利要求7所述的改善化学气相沉积工艺的均匀性的方法，其特征在于，所述喷淋头应用于MOCVD工艺，所述吹扫气体为氮气、氢气或者两者的混合，所述反应气体为氨气。

9.如权利要求7所述的改善化学气相沉积工艺的均匀性的方法，其特征在于，将所述窗口透明板用于使得原位测试装置的光学信号通过，所述原位测试装置用于测试的参数包括衬底上的外延材料层的生长速率、厚度、粗糙度、组分、温度、反射率、翘曲度中的一个或多个。

10.如权利要求7所述的改善化学气相沉积工艺的均匀性的方法，其特征在于，所述反应气体和吹扫气体的流量可调节。