[发明专利]电感及其形成方法、射频器件、集成无源器件在审
| 申请号： | 201210122321.X | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102637677A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;H01F37/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 及其 形成 方法 射频 器件 集成 无源 | ||
1.一种电感，设置于介质层中，其特征在于，所述电感包括本体与凸缘，所述凸缘至少设置于所述本体一个表面且镶嵌于所述介质层中。
2.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，所述电感的材质为铜或铝。
3.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，所述凸缘为开口大、底部小的弧形或开口与底部大小一样的方形。
4.一种电感的形成方法，其特征在于，包括：
形成第一介质层；
在所述第一介质层内形成凹槽；
在所述凹槽与第一介质层上淀积导电层；
淀积第二介质层，以包埋所述导电层。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述导电层材质为铝，所述淀积导电层步骤后，还进行非电感形成区域的导电层的去除，之后进行所述淀积第二介质层的步骤。
6.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为二氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽为开口与底部大小一样的方形槽，在所述第一介质层内形成凹槽是通过光刻、干法刻蚀工艺完成的。
8.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽为开口大、底部小的弧形槽，在所述第一介质层内形成凹槽是通过光刻、湿法去除完成的。
9.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，淀积导电层后，在所述第二介质层的上表面还依次进行形成凹槽、在所述凹槽及第二介质层上淀积导电层、在所述导电层上淀积介质层的步骤多次以形成多个电感。
10.一种射频器件，其特征在于，包含权利要求1-4中任意一项所述的电感。
11.一种集成无源器件，其特征在于，包含权利要求1-4中任意一项所述的电感。
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