[发明专利]Nand Flash 存储器及实现 Nand Flash 存储器连续读操作的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，具体而言，涉及一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法。 

背景技术

图1为传统Nand Flash存储器读操作原理示意图；如图1所示，虚框内代表Nand Flash存储器，包含Flash Memory Array(Flash存储器单元阵列)和Sense Amplifier(灵敏放大器，其作用是根据读指令及地址信息将存储器阵列中的内容读出来)；虚框外是外部接口部分，Sense Amplifier将读出数据送到外部接口。亦即，Sense Amplifer根据地址信息将Flash Memory Array中的数据读出后送到外部接口。 

Nand Flash存储器的读操作以Page为单位，即一条Wordline上的全部cell单元为单位，如图1中的Page M所示。Page M对应一条Wordline，共有2N个存储器cell单元，接到读指令后，Sense Amplifier一次性将整个Page上的所有cell的内容全部读出来，然后送给外部接口。 

上述传统Nand Flash存储器存在一个明显的缺点：当读地址是一个Page上靠后的cell单元时，比如图1中Page M的2N-1cell单元，那么当第2N个cell单元的内容送到外部接口后，就无法连续读出下一个Page M+1的内容，这是因为Sense Amplifier读取Flash Memory Array中数据的速度很慢，通常达到几十us甚至数百us，远远慢于将已读出数据送到外部接口的速度，因此读完第2N个cell单元后，要等待很长时间，才能开始读出下一个Page M+1的内容，这就严重限制了存储器的读出速度，无法实现数据的连续读操作。 

为了解决上述问题，本发明提出了一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法。 

发明内容

本发明提供一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，用以实现Nand Flash存储器的连续读操作。 

为达到上述目的，本发明提供了一种Nand Flash存储器，其包括：Flash存储器单元阵列、奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，其中 

Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页(Page)和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线； 

奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口； 

其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。 

较佳的，奇存储页和偶存储页分别由多个存储器单元组成。 

为达到上述目的，本发明还提供了一种实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，Nand Flash存储器包括Flash存储器单元阵列、奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，该方法包括以下步骤： 

将Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线； 

奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储 页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据先后送至外部接口； 

其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。 

在上述实施例中，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中的地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，如读地址位属于Page M(M为奇数)，那么在读出Page M的数据时，也同时读出Page M+1的数据，因此存储器至少可以在传送Page M+1的数据到外部接口时，去读下一个Page M+2里的数据，这个时间对于完成一次Page读操作是足够的。也就是说，不管读地址位于何处，存储器都有足够长的时间去读下一个Page的数据，从而实现连续读操作。 

附图说明