[发明专利]一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法有效
| 申请号： | 201210122624.1 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102634030A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;王洋;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08G77/385 | 分类号： | C08G77/385;C07F7/08 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅氧烷气敏 材料 低毒 合成 方法 | ||
1. 一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，是利用硅氢加成反应在含氢硅氧烷上生长含有六氟异丙醇分子的侧链，其特征在于，系利用2-烯烷基六氟异丙醇和含氢硅氧烷为原料合成硅氧烷气敏材料，2-烯烷基六氟异丙醇的分子式为：
CH2＝CH－(CH2)n－C(CF3)2－OH，其中，n介于0～3之间。
2. 根据权利要求1所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，含氢硅氧烷为小分子或线性聚合物或超支聚合物中的一种。
3. 根据权利要求2所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，含氢硅氧烷的分子量为500～10000。
4. 根据权利要求1所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将含氢硅氧烷、2-烯烷基六氟异丙醇、催化剂及溶剂在氮气保护下常温搅拌反应；
（2）反应24～48h后，加入活性炭继续搅拌2～4h，去除活性炭和溶剂，得到含有六氟异丙醇官能团的硅氧烷气敏材料。
5. 根据权利要求4所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，步骤（1）中2-烯烷基六氟异丙醇和含氢硅氧烷的质量比为3:1～4:1。
6. 根据权利要求4所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，步骤（1）中的催化剂为二乙烯基四甲基二硅氧烷铂配合物。
7. 根据权利要求4所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，步骤（1）所述的溶剂为甲苯。
8. 根据权利要求4所述的一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，其特征在于，步骤（2）中，采用过滤除去活性炭，减压蒸馏蒸出溶剂，真空干燥后得到含有六氟异丙醇官能团的硅氧烷气敏材料。
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