[发明专利]一种用于MEMS器件的自对准封装结构及其制造方法

权利要求书

1. 一种用于MEMS器件的自对准封装结构，包括盖板（26）及位于所述盖板（26）正下方的承载衬底（27）；其特征是：所述承载衬底（27）上设有MEMS结构（5），所述盖板（26）内凹设有用于容纳MEMS结构（5）的容纳槽（9），MEMS结构（5）伸入容纳槽（9）内，容纳槽（9）的槽底设有吸气剂（10）；盖板（26）对应容纳槽（9）槽口的外侧设有盖板键合定位凸块（29），且盖板（26）对应设置盖板键合定位凸块（29）的一侧表面设有盖板键合层（28）；承载衬底（27）上对应设置MEMS结构（5）的外侧设有衬底键合定位凸块（7），所述衬底键合定位凸块（7）与MEMS结构（5）间设有能与盖板键合定位凸块（29）相对应配合的键合定位槽（6），承载衬底（27）对应设置衬底键合定位凸块（7）的表面设有衬底键合层（8）；盖板键合定位凸块（29）伸入键合定位槽（6）内对应配合后，盖板键合层（28）与衬底键合层（8）对应接触，且盖板（26）与承载衬底（27）通过盖板键合层（28）及衬底键合层（8）键合后连成一体。

2.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的自对准封装结构，其特征是：所述承载衬底（27）内设有贯通所述承载衬底（27）的衬底电连接通孔（14），所述衬底电连接通孔（14）与MEMS结构（5）电连接。

3.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的自对准封装结构，其特征是：所述盖板（26）与承载衬底（27）间设有底部填充物（15）。

4.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的自对准封装结构，其特征是：所述盖板（26）及承载衬底（27）均采用SOI衬底，盖板键合层（28）与衬底键合层（8）为同一制造层；盖板键合定位凸块（29）与衬底键合定位凸块（7）、键合定位槽（6）为同一制造层。

5.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的自对准封装结构，其特征是：所述盖板（26）上对应盖板键合定位凸块（29）的外侧设有盖板对准孔（30），承载衬底（27）上对应衬底键合定位凸块（7）的外侧设有衬底对准孔（4），所述衬底对准孔（4）与盖板对准孔（30）相连通，且衬底对准孔（4）与盖板对准孔（30）的轴线位于同一直线上。

6.根据权利要求1所述的用于MEMS器件的自对准封装结构，其特征是：所述盖板键合定位凸块（29）与衬底键合定位凸块（7）的形状为等腰梯形、等腰三角形或矩形中的一种或几种。