[发明专利]具有双磁矩的磁性元件

权利要求书

1.数据感测元件，包括：

磁性响应的层的迭片；以及

用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。

2.如权利要求1所述的数据感测元件，其特征在于，所述用于产生所述低和高磁矩区域的装置包括：沿所述层的迭片的条状高度而减少第一和第二自由层的厚度达预确定的长度。

3.如权利要求1所述的数据感测元件，且特征在于，所述用于产生低和高磁矩区域的装置是迭片的自由层，该迭片的自由层包括具有第一条状高度的高饱和磁化子层，其接触地相邻于具有大于所述第一条状高度的第二条状高度的低饱和磁化子层。

4.磁性元件，含有磁性响应的层的迭片，具有邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域。

5.如权利要求4所述的磁性元件，其特征在于，所述高和低区域沿所述磁性元件的条状高度而横向地相邻。

6.如权利要求4所述的磁性元件，其特征在于，所述低磁矩区域对应于被减少的厚度的区域。

7.如权利要求4所述的磁性元件，其特征在于，所述层的迭片包括设置在一对铁磁自由层之间的非磁分隔层。

8.如权利要求7所述的磁性元件，其特征在于，每一个所述自由层沿所述磁性元件的条状高度是连续的。

9.如权利要求7所述的磁性元件，其特征在于，所述自由层每一个是铁磁自由子层的迭片。

10.如权利要求9所述的磁性元件，其特征在于，所述子层的迭片的每一个包括连续的高饱和磁化层，接触地相邻于低饱和磁化层。

11.如权利要求10所述的磁性元件，其特征在于，所述高饱和磁化层具有第一条状高度，而所述低饱和磁化层具有第二条状高度，所述第一条状高度小于所述第二条状高度。

12.如权利要求7所述的磁性元件，其特征在于，至少一个所述自由层被附连至反铁磁体(AFM)。

13.如权利要求12所述的磁性元件，其特征在于，所述AFM连接至对应于所述低磁矩区域的被减少的厚度的区域。

14.如权利要求7所述的磁性元件，其特征在于，每一个自由层具有第一厚度、较小的第二厚度、以及从第一厚度过渡至第二厚度的厚度特征。

15.如权利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述厚度特征是凹槽。

16.一种方法，包括：

配置磁性响应的层的迭片来创建邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述层的迭片被以倾斜入射角沉积，所述倾斜入射角设置所述层的迭片的至少一层的磁各向异性轴为预确定的取向。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述层的迭片的至少一个以预确定距离偏离于硬掩模。

19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述层的迭片的至少一个以预确定距离偏离于所述ABS。

20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述层的迭片包括以第一沉积角度沉积的具有第一厚度和条状高度的第一层，以及以第二沉积角度沉积的具有第二厚度和条状高度的第二层，所述第一厚度、条状高度、以及沉积角度不同于所述第二厚度、条状高度、以及沉积角度。