[发明专利]一种平面栅电荷存储型IGBT无效
| 申请号： | 201210123005.4 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102683402A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张金平;夏小军;王娜;李长安;张蒙;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 电荷 存储 igbt | ||
1.一种平面栅电荷存储型IGBT，包括P+集电极(12)，位于P+集电极(12)背面的金属集电极(11)，位于P+集电极(12)正面的N+电场阻止层(13)，位于N+电场阻止层(13)表面的N-漂移区(14)，位于N-漂移区(14)顶部中间的P型基区(20)，位于P型基区(20)内部的两个N+接触区(19)，位于P型基区(20)内部且位于两个N+接触区(19)之间的P+接触区(18)，位于器件表面且与两个N+接触区(19)和P+接触区(18)接触的金属发射极(17)，位于器件表面且与两个N+接触区(19)、P型基区(20)和N-漂移区(14)均接触的栅极氧化层(15)，位于栅极氧化层(15)表面的栅电极(16)；金属发射极(17)与栅电极(16)之间相互绝缘；P型基区(20)与N-漂移区(14)之间具有N型电荷存储层(21)；
其特征在于，所述平面栅电荷存储型IGBT还具有一层P型埋层(22)，所述P型埋层(22)位于N型电荷存储层(21)与N-漂移区(14)之间。
2.根据权利要求1所述的平面栅电荷存储型IGBT，其特征在于，所述P型埋层(22)将N型电荷存储层(21)全部包围或部分包围。
3.根据权利要求1所述的平面栅电荷存储型IGBT，其特征在于，所述P型埋层(22)在传统平面栅电荷存储型IGBT的N型电荷存储层(21)形成之前通过高能离子注入或扩散工艺形成。
4.根据权利要求1所述的平面栅电荷存储型IGBT，其特征在于，所述P型埋层(22)的浓度、厚度、形状根据设计要求相应变化。
5.根据权利要求1所述的平面栅电荷存储型IGBT，其特征在于，所述平面栅电荷存储型IGBT的P+集电极(12)为电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。
6.根据权利要求1所述的平面栅电荷存储型IGBT，其特征在于，所述平面栅电荷存储型IGBT的半导体材料为硅、碳化硅、砷化镓或氮化镓。
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