[发明专利]一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法有效
| 申请号： | 201210123065.6 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102644106A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈华;田达晰;李慎重;王震;梁兴勃 | 申请（专利权）人： | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 外延 厚度 均匀 生长 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面；
(2)将上部石英圆盖安装在基座上，上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装，即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近；
(3)通入反应气体，反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅，形成外延。
2.根据权利要求1所述的单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，其特征在于，所述步骤(1)中的倾斜面与基座之间呈2-15度。
3.根据权利要求1所述的单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，其特征在于，所述步骤(3)中的外延的厚度为2um-100um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江金瑞泓科技股份有限公司，未经浙江金瑞泓科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210123065.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚酰亚胺及其制备方法和应用
- 下一篇：锂离子电池保护器
