[发明专利]一种移位寄存器和显示器

权利要求书

1.一种移位寄存器，包括多级移位寄存器单元，其特征在于，所述多级移位寄存器单元中的每级移位寄存器单元包括：

第一薄膜晶体管，用于在驱动输入信号和扫描方向选择信号的控制下对所述上拉结点进行充电或放电，其中，在正向扫描驱动时，所述第一薄膜晶体管作为该级移位寄存器单元的启动开关，对所述上拉结点进行充电，在反向扫描驱动时，所述第一薄膜晶体管作为该级移位寄存器单元的复位开关，对所述上拉结点进行放电；

第二薄膜晶体管，用于在第一复位信号和所述扫描方向选择信号的控制下对所述上拉结点进行放电或充电，其中，在正向扫描驱动时，所述第二薄膜晶体管作为该级移位寄存器单元的复位开关，对所述上拉结点进行放电，在反向扫描驱动时，所述第二薄膜晶体管作为该级移位寄存器单元的启动开关，对所述上拉结点进行充电；

复位单元，用于对所述上拉结点和输出端进行复位；

上拉单元，用于在输出阶段将所述输出端的电位拉高。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的栅极连接输入端、源极连接上拉结点、漏极连接第一扫描方向选择信号输入端；

所述第二薄膜晶体管的栅极连接第一复位信号输入端、源极连接所述上拉结点、漏极连接所述第一扫描方向选择信号输入端。

3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述上拉单元包括：

第三薄膜晶体管，其栅极连接存储电容的第一端、源极输出端、漏极连接第一时钟信号输入端；

存储电容，其第一端连接所述上拉结点、第二端连接所述输出端。

4.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述复位单元包括：

第四薄膜晶体管，其栅极连接第二时钟信号输入端、源极连接低电平、漏极连接所述输出端；

第五薄膜晶体管，其栅极连接下拉控制结点、源极连接下拉结点、漏极连接所述第二时钟信号输入端；

第六薄膜晶体管，其栅极连接所述上拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述下拉结点；

第七薄膜晶体管，其栅极和漏极连接所述第二时钟信号输入端、源极连接所述下拉控制结点；

第八薄膜晶体管，其栅极连接所述上拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述下拉控制结点；

第九薄膜晶体管，其栅极连接所述下拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述上拉结点；

第十薄膜晶体管，其栅极连接所述下拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述输出端。

5.如权利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，所述每级移位寄存器单元还包括：

第一复位控制单元，用于保证所述复位单元对输出端的复位。

6.如权利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一复位控制单元包括：

第十一薄膜晶体管，其栅极连接第一复位信号输入端、源极连接低电平、漏极连接输出端；

第十二薄膜晶体管，其栅极连接输入端、源极连接低电平、漏极连接输出端。

7.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述复位单元包括：

第五薄膜晶体管，其栅极连接下拉控制结点、源极连接下拉结点、漏极连接所述第二时钟信号输入端；

第六薄膜晶体管，其栅极连接所述上拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述下拉结点；

第七薄膜晶体管，其栅极和漏极连接所述第二时钟信号输入端、源极连接所述下拉控制结点；

第八薄膜晶体管，其栅极连接所述上拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述下拉控制结点；

第九薄膜晶体管，其栅极连接所述下拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述上拉结点；

第十薄膜晶体管，其栅极连接所述下拉结点、源极连接所述低电平、漏极连接所述输出端；

第十三薄膜晶体管，其栅极连接第二复位控制单元、源极连接低电平、漏极连接所述输出端；

其中，所述第二复位控制单元，用于保证所述复位单元对输出端的复位。