[发明专利]高纯度碳酸盐的合成工艺无效
申请号: | 201210123516.6 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103288144A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 林海彬 | 申请(专利权)人: | 漳州师范学院 |
主分类号: | C01G51/06 | 分类号: | C01G51/06;C01G3/00;C01G53/06 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 渠述华 |
地址: | 363000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纯度 碳酸盐 合成 工艺 | ||
技术领域
本发明有关一种碳酸盐的合成技术,特别是指一种高纯度碳酸盐的合成工艺。
背景技术
目前国内碳酸钴的合成方法一般是采用氯化钴与碳酸氢钠(或碳酸氢铵)直接反应法,该方法虽然操作简单,但面临以下两点技术难题:
(1)氯化钴在弱酸性或弱碱性的条件下就容易生成氢氧化钴,导致了合成出的碳酸钴中含有部分氢氧化钴。
(2)利用碳酸氢钠(或碳酸氢铵)直接合成法得到的碳酸钴颗粒较细,难以过滤。
(3)利用碳酸氢钠(或碳酸氢铵)直接合成法得到的碳酸钴中氯离子的含量都较高(一般大于1000ppm)。
碳酸铜和碳酸镍等碳酸盐都面临相同的问题。
现有的方案是采用氯化钴(或氯化镍,或氯化铜)和碳酸氢钠(或碳酸氢铵)直接沉淀法。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯度碳酸盐的合成工艺,有效避免氢氧化物的生成,解决现有技术中碳酸盐中含有氢氧化物的技术难题。
为实现上述目的,本发明的解决方案是:
一种高纯度碳酸钴的合成工艺,其具体步骤为:
1)、将钴盐溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,搅拌溶解,得溶液A;
2)、将乳酸溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值,继续搅拌,得溶液B;
3)、将溶液A和溶液B相混合,继续搅拌,过滤,得到二乳酸钴沉淀;
4)、将得到的二乳酸钴沉淀溶于去离子水中,再加入含有碳酸氢钠的水溶液,全部加入后,继续搅拌,析出碳酸钴;
5)、将析出的碳酸钴过滤,洗涤并烘干,即得高纯度的碳酸钴。
所述步骤1)中是将1千克的钴盐溶于5升的乙醇-水混合溶剂中。
所述步骤2)中是将0.3千克的乳酸溶于0.5升的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值为4.0至7.0,继续搅拌20分钟,得溶液B。
所述步骤3)中搅拌时间为30分钟。
所述步骤4)中碳酸氢钠的水溶液为2L含有1千克碳酸氢钠的水溶液,搅拌时间为1小时。
所述步骤5)中的烘干温度为60°C以下。
一种高纯度碳酸铜的合成工艺,其具体步骤为:
1)、将铜盐溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,搅拌溶解,得溶液A;
2)、将乳酸溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值,继续搅拌,得溶液B;
3)、将溶液A和溶液B相混合,继续搅拌,过滤,得到二乳酸铜沉淀;
4)、将得到的二乳酸铜沉淀溶于去离子水中,再加入含有碳酸氢钠的水溶液,全部加入后,继续搅拌,析出碳酸铜;
5)、将析出的碳酸铜过滤,洗涤并烘干,即得高纯度的碳酸铜。
所述步骤1)中是将1千克的铜盐溶于5升的乙醇-水混合溶剂中。
所述步骤2)中是将0.3千克的乳酸溶于0.5升的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值为4.0至7.0,继续搅拌20分钟,得溶液B。
所述步骤3)中搅拌时间为30分钟。
所述步骤4)中碳酸氢钠的水溶液为2L含有1千克碳酸氢钠的水溶液,搅拌时间为1小时。
所述步骤5)中的烘干温度为60°C以下。
一种高纯度碳酸镍的合成工艺,其具体步骤为:
1)、将镍盐溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,搅拌溶解,得溶液A;
2)、将乳酸溶于体积比为1:1的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值,继续搅拌,得溶液B;
3)、将溶液A和溶液B相混合,继续搅拌,过滤,得到二乳酸镍沉淀;
4)、将得到的二乳酸镍沉淀溶于去离子水中,再加入含有碳酸氢钠的水溶液,全部加入后,继续搅拌,析出碳酸镍;
5)、将析出的碳酸镍过滤,洗涤并烘干,即得高纯度的碳酸镍。
所述步骤1)中是将1千克的镍盐溶于5升的乙醇-水混合溶剂中。
所述步骤2)中是将0.3千克的乳酸溶于0.5升的乙醇-水混合溶剂中,并用氢氧化钠调节至溶液的pH值为4.0至7.0,继续搅拌20分钟,得溶液B。
所述步骤3)中搅拌时间为30分钟。
所述步骤4)中碳酸氢钠的水溶液为2L含有1千克碳酸氢钠的水溶液,搅拌时间为1小时。
所述步骤5)中的烘干温度为60°C以下。
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