[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其具有容纳基板的处理室并且利用所述处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中的所述基板进行等离子体处理，所述基板处理装置包括：

喷射机构，适于从所述处理室的侧壁朝向面向所述等离子体的处理室内部件的至少一部分喷射控温气体。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述喷射机构包括喷射所述控温气体的喷嘴。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述喷射机构包括测量所述处理室内部件的温度的温度测量装置。

4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述处理室内部件是环形聚焦环，其设置在置于所述处理室中的安装台上以便围绕安装在所述安装台上的所述基板的外周部。

5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述控温气体是高温气体。

6.一种通过基板处理装置执行的基板处理方法，所述基板处理装置具有容纳基板的处理室并且利用所述处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中的所述基板进行等离子体处理，所述方法包括：

在将所述基板容纳于所述处理室中之前，从所述处理室的侧壁朝向面向所述等离子体的处理室内部件的至少一部分喷射控温气体的喷射步骤。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中所述喷射步骤包括测量所述处理室内部件的温度的测量步骤。

8.如权利要求6或7所述的基板处理方法，还包括在执行所述喷射步骤之前，将所述处理室中的压力控制在665至1330帕(5至10托)的压力控制步骤。

9.如权利要求6或7所述的基板处理方法，还包括在执行所述喷射步骤之后并在将所述基板容纳于所述处理室中之前，将在所述喷射步骤中已被喷射控温气体的所述处理室内部件放置至少一秒钟的放置步骤。

10.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其中所述处理室内部件是环形聚焦环，其设置在置于所述处理室中的安装台上以便围绕安装在所述安装台上的所述基板的外周部。

11.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其中所述控温气体是高温气体。