[发明专利]场发射式显示器的画素结构及其修补方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种画素结构及其修补方法，且特别是有关于一种场发射式显示器的画素结构及其修补方法。 

【背景技术】

场发射显示器的发光原理，是在真空环境下利用电场将材料尖端的电子吸引出，而离开阴极板的场发射电子受阳极上正电压的加速吸引，撞击至阳极的荧光粉而发光(Luminescence)。阴极板是作为场电子发射源，而阳极板作为发光源，由阴极板射出的电子撞击阳极板上的荧光层而发光。 

一般来说，场发射显示器的场电子放射器是位于两条信号线交叉重叠的区域中，此区域又称为显示发射区。当显示发射区发生任何缺陷，例如构件之间的不当短路、构件之间的不当断路或是有微粒子掉落在显示发射区时，若是利用激光切割或是其他合适的方法将对应的信号线切断，将造成被切断的信号线所连接的画素结构失去发光的效能。如此一来，显示发射区的作用面积将大为减少，使得场发射示显示器的良率下降。 

【发明内容】

本发明提供一种场发射式显示器的画素结构及其修补方法，其具有可修补的结构设计，有助于提升画素结构的良率。 

本发明提出一种场发射式显示器的画素结构包括第一导线、第二导线以及多个电子放射器。第一导线具有第一主线以及第一延伸部。第一主线具有 第一延伸方向。第二导线具有第二主线以及第二延伸部。第二主线具有第二延伸方向。第一延伸部以及第二延伸部之间形成重叠区域。电子放射器位于第一延伸部以及第二延伸部之间并且位于重叠区域中。 

本发明再提出一种场发射式显示器的修补方法。首先，提供场发射式显示器。所述场发射式显示器具有多个如上所述的画素结构。所述画素结构的其中之一为一缺陷画素。接着，对所述缺陷画素的第一延伸部与第一主线进行第一分离程序以使第一延伸部与第一主线分离，或是对所述缺陷画素的第二延伸部与第二主线进行第二分离程序以使第二延伸部与第二主线分离。 

本发明更提出一种场发射式显示器的修补方法。首先，提供场发射式显示器。所述场发射式显示器具有多个如上所述的画素结构，且各画素结构的第二延伸部包括连接部以及至少一重叠部，连接部与第二主线连接，且重叠区域位于第二延伸部的重叠部与第一延伸部之间。所述画素结构的其中之一为一缺陷画素。接着，对所述缺陷画素的第一延伸部与第一主线进行第一分离程序以使第一延伸部与第一主线分离，或是对缺陷画素的第二延伸部的连接部与重叠部进行第二分离程序以分离连接部与重叠部。 

基于上述，本发明的场发射式显示器中画素结构的电子放射器是配置在第一延伸部以及第二延伸部的重叠区域中。当所述场发射式显示器的构件之间发生缺陷时，可以使用分离程序将发生缺陷所对应的区域的延伸部与主线分离。如此一来，主线部分仍为连续的传输线路，其他没有发生缺陷的画素结构可以正常的运作。因此，根据本发明的场发射式显示器的修补方法，可以大幅提升场发射式显示器的制程良率。 

为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。 

【附图说明】

图1A是本发明一实施例的场发射式显示器的画素结构之上视示意图。 

图1B是沿图1A中剖线A-A’的剖面示意图。 

图1C为图1A的画素结构应用于场发射式显示器时，对应图1A的剖线A-A’示意图。 

图2A为本发明另一实施例的画素结构的剖面示意图。 

图2B是沿图2A中剖线B-B’的剖面示意图。 

图2C为图2A的画素结构应用于场发射式显示器时，对应图2A的剖线B-B’的示意图。 

图3A为本发明另一实施例中场发射式显示器的修补方法的示意图。 

图3B为沿图3A中剖线C-C’的剖面示意图。 

图4为本发明一实施例中场发射式显示器的修补方法示意图。 

【主要元件符号说明】 

100a、100b：场发射式显示器 

102：基板 

110：第一导线 

112：第一主线 

114：第一延伸部 

120：第二导线 

122：第二主线 

124：第二延伸部 

124a：连接部 

124b：重叠部 

126：金属导线 

130：电子放射器 

140：电阻层 

150：介电层 

150S：开口 

160：保护层 

200：间隙结构