[发明专利]正极及蓄电装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210124226.3 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN102738516A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 栗城和贵 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M10/058 分类号: H01M10/058;H01M4/1391;H01M4/525
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 林毅斌;李进
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 正极 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蓄电装置的制造方法,包括如下步骤:

边在400℃以上且低于600℃的温度下加热正极集电体,边通过使用包含钴酸锂的靶材和包含Ar的溅射气体的溅射法在所述正极集电体上形成钴酸锂层。

2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,

其中,在所述钴酸锂层中,钴酸锂的结晶呈c轴取向,

并且,即使加热所述正极集电体,也不产生氧化钴。

3.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述正极集电体的材料为选自钛、不锈钢、铂以及铝中的一种。

4.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述正极集电体的材料为钛。

5.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述正极集电体的材料为不锈钢。

6.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,还包括如下步骤:

在形成所述钴酸锂层之前,在衬底上形成所述正极集电体和负极集电体;

形成与所述正极集电体接触且覆盖所述钴酸锂层的固体电解质层;

形成与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及

形成与所述正极集电体及所述负极集电体接触且覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜。

7.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述负极集电体的材料为选自铜、不锈钢、铁、镍中的一种。

8.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述固体电解质层的材料为Li3PO4、Li3PO4-xNx、Li1.3Al0.3Ti1.7P3O12、Li0.35La0.55TiO3、Li14ZnGe4O16、Li6BaLa2Ta2O12、Li7La3Zr2O12、LixPSy、Li2S-SiS2-Li3PO4、Li2S-SiS2-Li4SiO4以及Li3.25Ge0.25P0.75S4中的一种,

并且,x和y是正的实数。

9.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述负极活性物质层的材料为TiO2、Li4Ti5O12、Nb2O5、NbTiOx、WO2、MoO2、硅、硅合金、锗、锗合金、锡、锡合金以及金属锂中的一种。

10.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,

其中,所述保护膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氟类树脂以及类金刚石碳中的一种。

11.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,还包括如下步骤:

形成覆盖所述钴酸锂层的固体电解质层;

形成与所述固体电解质层接触的负极活性物质层;

在所述负极活性物质层上形成负极集电体;以及

形成与所述正极集电体、所述固体电解质层、负极活性物质层以及所述负极集电体接触的保护膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210124226.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top