[发明专利]正极及蓄电装置的制造方法有效
申请号: | 201210124226.3 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102738516A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 栗城和贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M10/058 | 分类号: | H01M10/058;H01M4/1391;H01M4/525 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;李进 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正极 装置 制造 方法 | ||
1.一种蓄电装置的制造方法,包括如下步骤:
边在400℃以上且低于600℃的温度下加热正极集电体,边通过使用包含钴酸锂的靶材和包含Ar的溅射气体的溅射法在所述正极集电体上形成钴酸锂层。
2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,
其中,在所述钴酸锂层中,钴酸锂的结晶呈c轴取向,
并且,即使加热所述正极集电体,也不产生氧化钴。
3.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述正极集电体的材料为选自钛、不锈钢、铂以及铝中的一种。
4.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述正极集电体的材料为钛。
5.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述正极集电体的材料为不锈钢。
6.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,还包括如下步骤:
在形成所述钴酸锂层之前,在衬底上形成所述正极集电体和负极集电体;
形成与所述正极集电体接触且覆盖所述钴酸锂层的固体电解质层;
形成与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及
形成与所述正极集电体及所述负极集电体接触且覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜。
7.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述负极集电体的材料为选自铜、不锈钢、铁、镍中的一种。
8.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述固体电解质层的材料为Li3PO4、Li3PO4-xNx、Li1.3Al0.3Ti1.7P3O12、Li0.35La0.55TiO3、Li14ZnGe4O16、Li6BaLa2Ta2O12、Li7La3Zr2O12、LixPSy、Li2S-SiS2-Li3PO4、Li2S-SiS2-Li4SiO4以及Li3.25Ge0.25P0.75S4中的一种,
并且,x和y是正的实数。
9.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述负极活性物质层的材料为TiO2、Li4Ti5O12、Nb2O5、NbTiOx、WO2、MoO2、硅、硅合金、锗、锗合金、锡、锡合金以及金属锂中的一种。
10.根据权利要求6所述的蓄电装置的制造方法,
其中,所述保护膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氟类树脂以及类金刚石碳中的一种。
11.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,还包括如下步骤:
形成覆盖所述钴酸锂层的固体电解质层;
形成与所述固体电解质层接触的负极活性物质层;
在所述负极活性物质层上形成负极集电体;以及
形成与所述正极集电体、所述固体电解质层、负极活性物质层以及所述负极集电体接触的保护膜。
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