[发明专利]晶体生长加热系统

权利要求书

1.一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热；其特征在于：所述晶体生长加热系统包含：

一上加热装置，设置于该坩埚上方以对该半导体材料加热；

一温度感测器，用以感测该上加热装置的温度并产生一感测信号；

一第一控制器，电连接于该上加热装置及该温度感测器，且存储有一默认温度值，并根据该感测信号调整该上加热装置的温度趋近该默认温度值；

一侧加热装置，设置于该坩埚的一围绕壁外侧以对该半导体材料加热；及

一第二控制器，电连接于该侧加热装置，且接收一外部控制信号，并根据该外部控制信号调整该侧加热装置的温度。

2.根据权利要求1所述的晶体生长加热系统，其特征在于：所述的晶体生长加热系统是由该上加热装置、该温度感测器、该第一控制器、该侧加热装置，及该第二控制器组成。

3.根据权利要求1或2所述的晶体生长加热系统，其特征在于：该上加热装置包括一电连接该第一控制器的第一电源电路，及一电连接该第一电源电路的上加热器，该第一电源电路接收该第一控制器产生的一第一控制信号，并产生占空比与该第一控制信号相关的一第一电力信号，该上加热器受该第一电力信号供电以对该半导体材料加热。

4.根据权利要求3所述的晶体生长加热系统，其特征在于：该侧加热装置包括一电连接该第二控制器的第二电源电路，及一电连接该第二电源电路的侧加热器，该第二电源电路接收该第二控制器产生的一第二控制信号，并产生占空比与该第二控制信号相关的一第二电力信号，该侧加热器受该第二电力信号供电以对该半导体材料加热。

5.根据权利要求4所述的晶体生长加热系统，其特征在于：该第一电源电路接收一输入电力信号并包括一电连接该第一控制器的第一开关，及一电连接该第一开关与该上加热器的第一变压器，该第一开关具有一接收该输入电力信号的第一端、一电连接该第一变压器的第二端，及一电连接该第一控制器的控制端，且该第一开关受该第一控制信号控制使其第一端与第二端切换于导通与不导通间。

6.根据权利要求5所述的晶体生长加热系统，其特征在于：该第二电源电路接收该输入电力信号并包括一电连接该第二控制器的第二开关，及一电连接该第二开关与该侧加热器的第二变压器，该第二开关具有一接收该输入电力信号的第一端、一电连接该第二变压器的第二端，及一电连接该第二控制器的控制端，且该第二开关受该第二控制信号控制使其第一端与第二端切换于导通与不导通间。