[发明专利]用于真空处理装置的接地组件

权利要求书

1.一种真空处理室，包括：

室主体；

基架；

设在所述基架顶面上的多个弹性触头；

连接每个弹性触头至地电位的地电位路径；和，

坐落在基架上并与弹性触头形成电接触的支架。

2.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述支架包括可移除的基座。

3.根据权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述可移除的基座被构造为用于同时支撑多个衬底。

4.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述支架包括衬底托盘。

5.根据权利要求4所述的真空处理室，其特征在于，所述衬底托盘被构造为用于同时支撑多个衬底。

6.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，还包括附接至所述基架的顶面的多个固定柱。

7.根据权利要求6所述的真空处理室，其特征在于，所述多个固定柱设在基架的周边区域，并且多个弹性触头在基架的整个所述区域上被均匀地分布。

8.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述多个弹性触头的至少一部分包括止挡。

9.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述多个弹性触头绕基架的所述周边分布，并且其中位于角落的弹性触头包括止挡。

10.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，每个弹性触头包括导电块和板簧，所述板簧在其一端连接至所述导电块。

11.根据权利要求10所述的真空处理室，其特征在于，每个弹性触头还包括设置在导电块和板簧之间的止挡。

12.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，每个弹性触头包括固定部件和滑动部件，以及推动滑动部件至伸展位置的弹簧。

13.一种用于对多个位于支架上的衬底同时进行等离子体处理的真空处理室，包括：

室主体；

设在所述室主体的上段的喷头；

设于所述室主体的下部的基架；

多个固定柱，其设于所述基架的顶面上并构造为支撑支架；

多个弹性触头，其在基架的顶面上均匀地分布并被构造为形成与支架的电接触；

连接每个弹性触头至电位的电路径。

14.根据权利要求13所述的真空处理室，其特征在于，所述支架包括基座，并且还包括传送机构，所述传送机构被构造为将衬底从托盘传送至基座上。

15.根据权利要求13所述的真空处理室，其特征在于，所述电位是地电位。

16.根据权利要求13所述的真空处理室，其特征在于，所述支架包括可移除基座或托盘其中之一。

17.根据权利要求13所述的真空处理室，其特征在于，所述多个弹性触头设于基架的周边区域，并且所述多个固定柱分布在从所述弹性触头向内的位置。

18.一种用于对多个位于支架上的衬底同时进行等离子体处理的真空处理室，包括：

室主体；

设在所述室主体的上段的喷头；

设在所述室主体的下部的基架；

衬底支架；

多个弹性触头，其在基架的顶面上分布并被构造为形成与衬底支架的电接触；

连接每个弹性触头至电位的地电位路径。

19.根据权利要求18所述的真空处理室，其特征在于，所述支架包括可移除基座或托盘其中之一。

20.根据权利要求18所述的真空处理室，其特征在于，所述多个弹性触头设在衬底支架的周边区域，并且还包括基架顶面上的多个固定柱。

21.根据权利要求6所述的真空处理室，其特征在于，所述多个弹性触头设在基架的周边区域，并且所述多个固定柱分布在比弹性触头更向内的位置。

22.根据权利要求13所述的真空处理室，其特征在于，所述电位是RF电源或DC电位中的至少一个。