[发明专利]具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件

权利要求书

1.一种磁性叠层，包括：

具有均匀叠片厚度的磁响应叠片，该磁响应叠片包括通过隧道结与合成反铁磁(SAF)层分开且通过空气轴承表面(ABS)与存储在相邻介质中的感测数据位分开的铁磁自由层；以及

结合到所述磁响应叠片中的至少一个反铁磁(AFM)调整片，该AFM调整片直接耦合到所述SAF层离所述ABS有一预定偏距，

其中，所述AFM调整片具有第一厚度，而所述SAF层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，

其中，所述AFM调整片所具有的第一厚度与所述隧道结和所述铁磁自由层的组合厚度相匹配。

2.如权利要求1所述的磁性叠层，其特征在于，还包括耦合到所述叠片的所选侧的至少一个磁屏蔽层。

3.如权利要求2所述的磁性叠层，其特征在于，至少一个磁屏蔽层具有容纳所述AFM调整片的一部分的减小厚度的区域。

4.如权利要求1所述的磁性叠层，其特征在于，所述SAF层是在一对铁磁子层之间设置有过渡金属的叠片。

5.如权利要求1所述的磁性叠层，其特征在于，由于所述AFM调整片与所述ABS有空隙，所述叠片中的PW50宽度增大。

6.如权利要求1所述的磁性叠层，其特征在于，所述调整片被配置成提供在所述SAF层中维持预设定磁性的交换耦合。

7.如权利要求6所述的磁性叠层，其特征在于，所述磁性叠层是数据变换头中的读取传感器。

8.如权利要求6所述的磁性叠层，其特征在于，在对所述SAF层进行各向异性蚀刻之后，金属AFM材料沉积到所述SAF层上作为所述AFM调整片。

9.如权利要求8所述的磁性叠层，其特征在于，所述AFM调整片通过绝缘材料与所述自由层和所述隧道结分开。

10.如权利要求6所述的磁性叠层，其特征在于，氧化物AFM材料在横向上沉积到与所述自由层和所述隧道结直接接触地邻近的所述SAF层上。

11.一种制造磁性叠层的方法，包括：

通过隧道结在磁响应叠片中将铁磁自由层与合成反铁磁(SAF)层分开，并且通过空气轴承表面(ABS)将所述铁磁自由层与存储在相邻介质中的感测数据位分开，所述磁响应叠片具有均匀的叠片厚度；以及

将至少一个反铁磁(AFM)调整片结合到所述磁响应叠片中，所述AFM调整片直接耦合到所述SAF层离所述ABS有一预定偏距，

其中，所述AFM调整片具有第一厚度，而所述SAF层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，

其中，所述AFM调整片所具有的第一厚度与所述隧道结和所述铁磁自由层的组合厚度相匹配。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述AFM调整片响应于外部磁场来维持所述SAF层的预设定磁性。