[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201210125069.8 申请日: 2012-04-25
公开(公告)号: CN102760632A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 茂山和基;石桥清隆;森田治;谷川雄洋;松本直树;三原直辉;吉川弥 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子处理装置,其特征在于,具备:

划分形成处理空间的处理容器;

设置在所述处理容器内的工作台;

以面对所述工作台的方式设置的电介质部件;

经由所述电介质部件将微波导入所述处理空间内的单元;

喷射器,其为电介质制,具有一个以上的贯通孔,配置在所述电介质部件的内部,与形成在所述电介质部件中的贯通孔一起划分形成用于向所述处理空间供给处理气体用的路径;和

覆盖所述喷射器的周围的电场屏蔽部。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器由松散电介质材料构成。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器与所述电介质部件接合。

4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器与所述电介质部件一体形成。

5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器包括:第一表面;和与所述第一表面相对、面向所述处理空间的第二表面,

所述喷射器的所述一个以上的贯通孔在所述第一表面和所述第二表面之间延伸,

所述电场屏蔽部,在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上,延伸至比所述第二表面更接近所述处理空间的位置。

6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

导入所述微波的单元包括:

同轴波导管;和

作为与所述同轴波导管接合的天线,在径向和周向形成有多个缝隙的金属制的缝隙板,

所述处理气体从所述同轴波导管的内侧导体的内孔中配置的配管,供给至所述喷射器。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述电场屏蔽部与所述配管一体化。

8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器为石英制。

9.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器的所述一个以上的贯通孔各自为狭缝状的贯通孔。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器的所述一个以上的贯通孔各自以越接近所述处理空间宽度越窄的方式形成。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器的所述一个以上的贯通孔,通过激光加工形成。

12.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述喷射器的所述一个以上的贯通孔的最窄部的宽度在0.2mm以下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210125069.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top