[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201210125069.8 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102760632A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 茂山和基;石桥清隆;森田治;谷川雄洋;松本直树;三原直辉;吉川弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于,具备:
划分形成处理空间的处理容器;
设置在所述处理容器内的工作台;
以面对所述工作台的方式设置的电介质部件;
经由所述电介质部件将微波导入所述处理空间内的单元;
喷射器,其为电介质制,具有一个以上的贯通孔,配置在所述电介质部件的内部,与形成在所述电介质部件中的贯通孔一起划分形成用于向所述处理空间供给处理气体用的路径;和
覆盖所述喷射器的周围的电场屏蔽部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器由松散电介质材料构成。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器与所述电介质部件接合。
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器与所述电介质部件一体形成。
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器包括:第一表面;和与所述第一表面相对、面向所述处理空间的第二表面,
所述喷射器的所述一个以上的贯通孔在所述第一表面和所述第二表面之间延伸,
所述电场屏蔽部,在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上,延伸至比所述第二表面更接近所述处理空间的位置。
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
导入所述微波的单元包括:
同轴波导管;和
作为与所述同轴波导管接合的天线,在径向和周向形成有多个缝隙的金属制的缝隙板,
所述处理气体从所述同轴波导管的内侧导体的内孔中配置的配管,供给至所述喷射器。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述电场屏蔽部与所述配管一体化。
8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器为石英制。
9.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器的所述一个以上的贯通孔各自为狭缝状的贯通孔。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器的所述一个以上的贯通孔各自以越接近所述处理空间宽度越窄的方式形成。
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器的所述一个以上的贯通孔,通过激光加工形成。
12.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述喷射器的所述一个以上的贯通孔的最窄部的宽度在0.2mm以下。
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