[发明专利]包括磁性材料的电极和包括该电极的有机发光装置无效
申请号: | 201210125151.0 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102842684A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 李濬九;金元锺;郑知泳;崔镇百;李娟和;李昌浩;吴一洙;宋炯俊;尹振渶;宋英宇;李钟赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 磁性材料 电极 有机 发光 装置 | ||
1.一种用于有机发光装置的电极,包括:
金属层;以及
传导透明层,形成在所述金属层上,所述传导透明层包括透明传导氧化物和磁性材料。
2.如权利要求1所述的电极,所述金属层包括银(Ag)。
3.如权利要求1所述的电极,所述金属层的厚度为到的范围。
4.如权利要求1所述的电极,所述传导透明层的厚度为到的范围。
5.如权利要求1所述的电极,所述传导透明层的功函数为4.8eV到6.5eV的范围。
6.如权利要求1所述的电极,所述透明传导氧化物包括选自由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO、以及ZnOx组成的组中的至少一种。
7.如权利要求1所述的电极,所述磁性材料包括选自由Ni、Co、Fe、Mn、Bi、FeO-Fe2O3、NiO-Fe2O3、CuO-Fe2O3、MgO-Fe2O3、MnBi、MnSb、MnAs、MnO-Fe2O3、Y3Fe2O3、CrO2、以及EuO中组成的组的至少一种。
8.如权利要求1所述的电极,包含在所述传导透明层中的所述磁性材料的含量为所述传导透明层的全部重量的1%到30%的重量。
9.如权利要求1所述的电极,在所述传导透明层中,所述透明传导氧化物形成矩阵并且所述磁性材料掺杂在由所述透明传导氧化物形成的所述矩阵中。
10.如权利要求9所述的电极,所述传导透明层由包括所述透明传导氧化物和所述磁性材料的原材料通过溅射或者沉积形成。
11.如权利要求1所述的电极,所述传导透明层包括由所述磁性材料制成的薄膜,由所述磁性材料制成的薄膜设置在由所述透明传导氧化物制成的薄膜上。
12.如权利要求11所述的电极,由所述磁性材料制成的薄膜的厚度为到的范围。
13.如权利要求11所述的电极,由所述透明传导氧化物制成的薄膜的厚度为到的范围。
14.如权利要求1所述的电极,所述电极为反射电极。
15.如权利要求1所述的电极,所述电极为阳极。
16.一种制造用于有机发光装置的电极的方法,所述方法包括:
在基底上形成金属层;以及
在所述金属层上形成传导透明层,所述传导透明层通过溅射工艺或沉积工艺使用包括透明传导氧化物和磁性材料的原材料形成。
17.如权利要求16所述的方法,形成所述传导透明层的步骤包括:
通过使用所述透明传导氧化物,在所述金属层上形成由所述透明传导氧化物制成的薄膜;以及
在由所述透明传导氧化物制成的薄膜上形成由所述磁性材料制成的薄膜。
18.如权利要求16所述的方法,在形成所述传导透明层的步骤中,同时使用所述透明传导氧化物和所述磁性材料来进行所述溅射工艺或所述沉积工艺以形成使用所述透明传导材料的矩阵,并且所述磁性材料被掺杂在由所述透明传导氧化物形成的矩阵中。
19.一种用于有机发光装置的阴极,包括金属材料和磁性材料。
20.如权利要求19所述的阴极,所述金属包括Ag、MgAg、以及AgYg中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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