[发明专利]非线性光学晶体硼酸氧镉镥

权利要求书

1.化合物硼酸氧镉镥，其特征在于：其化学式Cd₄LuO(BO₃)₃，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝99.972°，z＝2，单胞体积为 

2.一种权利要求1的硼酸氧镉镥化合物的制备方法，其特征在于：将含Cd、Lu和B的化合物原料按适当比例均匀混合研磨后，缓慢升温300～400℃后，预烧1～5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在800～900℃下烧结12～20小时，冷却至室温即可获得硼酸氧镉镥化合物。

3.权利要求1的化合物硼酸氧镉镥的非线性光学晶体。

4.一种权利要求3所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的生长方法，采用熔盐法生长，其特征在于：以B₂O₃为助熔剂生长，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降温至800℃，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体。

5.一种权利要求3所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的生长方法，采用熔盐法生长，其特征在于：采用B₂O₃助熔剂体系，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10～20转/分，降温至饱和温度，然后按1～5℃/天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10～30℃/小时的速率降至室温，获得所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体。

6.一种权利要求3所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的用途，其特征在于： 该非线性光学晶体用于激光器激光输出的频率变换。

7.一种权利要求6所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的用途，其特征在于：该晶体用于对波长为1.064μm的激光光束产生2倍频或3倍频谐波光输出。

8.一种权利要求6所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体用于制备紫外区的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件。

9.一种权利要求6所述的硼酸氧镉镥非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体用于制备从红外到紫外区的光参量与放大器件。