[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，是倒装片型的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，

所述倒装片型的氮化物半导体发光元件具有：

具备层叠于基板上层的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层、以及在所述基板的相同平面侧使所述n型氮化物半导体层与n侧电极连接的n侧电极连接面和使所述p型氮化物半导体层与p侧电极连接的p侧电极连接面的氮化物半导体发光元件结构，

与所述n侧电极连接面连接的所述n侧电极，

与所述p侧电极连接面连接的所述p侧电极，和

形成于所述n侧电极上和所述p侧电极上的金属凸块；

所述制造方法依次进行如下工序：

保护层形成工序，在所述氮化物半导体发光元件结构上形成绝缘性的保护层，

第1抗蚀图形形成工序，在所述n侧电极连接面上和所述p侧电极连接面上形成具有开口部的第1抗蚀图形，

保护层蚀刻工序，将所述第1抗蚀图形作为掩蔽，蚀刻所述保护层而露出所述n侧电极连接面和所述p侧电极连接面，

第1金属层形成工序，在所述n侧电极连接面上、所述p侧电极连接面上和所述第1抗蚀图形上形成成为所述n侧电极和所述p侧电极的第1金属层，

第2抗蚀图形形成工序，在所述第1抗蚀图形的开口部上形成具有开口部的第2抗蚀图形，

第2金属层形成工序，将所述第1金属层作为电镀的电极，通过电镀形成成为所述金属凸块的第2金属层，

抗蚀图形除去工序，除去所述第1抗蚀图形和所述第2抗蚀图形。

2.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，是倒装片型的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，

所述倒装片型的氮化物半导体发光元件具有：

具备层叠于基板上层的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层、以及在所述基板的相同平面侧使所述n型氮化物半导体层与n侧电极连接的n侧电极连接面和使所述p型氮化物半导体层与p侧电极连接的p侧电极连接面的氮化物半导体发光元件结构，

与所述n侧电极连接面连接的所述n型电极，

与所述p侧电极连接面连接的所述p侧电极，和

形成于所述n侧电极上和所述p侧电极上的金属凸块；

所述制造方法依次进行如下工序：

保护层形成工序，在所述氮化物半导体发光元件结构上形成绝缘性的保护层，

抗蚀图形形成工序，在所述n侧电极连接面上和所述p侧电极连接面上形成具有开口部的抗蚀图形，

保护层蚀刻工序，将所述抗蚀图形作为掩蔽，蚀刻所述保护层而露出所述n侧电极连接面和所述p侧电极连接面，

第1金属层形成工序，在所述n侧电极连接面上、所述p侧电极连接面上和所述抗蚀图形上形成成为所述n侧电极和所述p侧电极的第1金属层，

第2金属层形成工序，将所述第1金属层作为电镀的电极，通过电镀形成成为所述金属凸块的第2金属层，

抗蚀图形除去工序，除去所述抗蚀图形。