[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法有效

专利信息
申请号: 201210126619.8 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN102681341A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: Y·C·裴;R·贝尔;T·卡多拉西亚;李承泫;刘沂;朴钟根 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 光致抗蚀剂 组合 形成 光刻 图案 方法
【权利要求书】:

1.光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:

包括以下通式(I)、(II)和(III)单元的第一聚合物:

其中:R1表示C1-C3烷基;R2表示C1-C3亚烷基;R3表示氢或甲基;L1表示内酯基团;并且n为1或2;

第二聚合物,所述第二聚合物是(甲基)丙烯酸C3-C7烷基酯的均聚物或共聚物;

光酸产生剂。

2.权利要求1的光致抗蚀剂组合物,其中第一聚合物通过下式表示:

其中:0.3<a<0.7;0.3<b<0.6;和0.1<c<0.3。

3.权利要求1的光致抗蚀剂组合物,其中第一聚合物进一步包括通式(I)的第二单元,其中在通式(I)的第一和第二单元中的R1是不同的。

4.权利要求3的光致抗蚀剂组合物,其中第一聚合物通过下式表示:

其中:0.1<a<0.5;0.1<b<0.5;0.2<c<0.6;和0.1<d<0.3。

5.权利要求1的光致抗蚀剂组合物,其中第一聚合物进一步包括以下通式(IV)的单元:

其中:L2是内酯基团;和通式(IV)的单元与通式(II)的单元是不同的。

6.权利要求5的光致抗蚀剂组合物,其中第一聚合物通过下式表示:

其中:0.3<a<0.7;0.1<b<0.4;0.1<c<0.4,和0.1<d<0.3。

7.权利要求5的光致抗蚀剂组合物,其中L1和L2独立地选自以下内酯基团:

8.权利要求1-7任一项的光致抗蚀剂组合物,其中第二聚合物是聚(甲基丙烯酸正丁酯)的均聚物。

9.权利要求1-7任一项的光致抗蚀剂组合物,其中第二聚合物是包括甲基丙烯酸正丁酯和不同于甲基丙烯酸正丁酯的第二(甲基)丙烯酸C3-C7烷基酯单元的共聚物。

10.涂覆的基板,所述涂覆的基板包括基板和在基板表面上的权利要求1-9任一项的光致抗蚀剂组合物层。

11.形成光刻图案的方法,所述方法包括:

(a)提供基板,所述基板包括在所述基板表面上待形成图案的一层或多层;

(b)将权利要求1-9任一项的光致抗蚀剂组合物的层施加到待形成图案的一层或多层上;

(c)将光致抗蚀剂组合物层于光化辐射进行图案化曝光;

(d)在后曝光烘焙工艺中加热所述曝光的光致抗蚀剂组合物层;和

(e)将显影剂施加到所述光致抗蚀剂组合物层以去除部分光致抗蚀剂层,因此形成光致抗蚀剂图案,其中光致抗蚀剂层的未曝光区域通过显影剂移除以形成光致抗蚀剂图案。

12.权利要求11的方法,其中显影剂包括2-庚酮。

13.权利要求11的方法,其中显影剂包括醋酸正丁酯。

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