[发明专利]原子层沉积设备、密封方法和用于沉积的喷嘴组

说明书

技术领域

描述的技术大体上涉及一种用于原子层沉积的设备。

背景技术

通常，在制造半导体装置或平板显示器的过程中使用在基底上沉积薄膜的工艺。为了在基底上沉积具有预定厚度的薄膜，经常使用某些沉积方法，例如利用颗粒的物理碰撞的物理气相沉积(PVD)或利用化学反应的化学气相沉积(CVD)等。

发明内容

本发明的一方面在于一种通过改进布置在原子层沉积设备的喷头中的气体注射喷嘴的结构来提高气体的注射效率和排出效率的原子层沉积设备。

另一方面在于一种使用该原子层沉积设备密封有机发光装置的密封方法。

另一方面在于一种原子层沉积设备中的吹扫气体注射喷嘴部分的结构，以用来提高沉积工艺中的沉积速度和膜质量。

另一方面在于一种吹扫气体注射喷嘴部分的结构得到改进的原子层沉积设备。

另一方面在于一种原子层沉积设备，该原子层沉积设备包括：反应室；基底支撑件，安装在反应室的内部以支撑基底；以及喷头，包括可将第一源气体、第二源气体和吹扫气体注射到基底上的一个或多个喷嘴组，喷头设置在基底支撑件的上方。

这里，基底支撑件和喷头中的至少一个以其可以沿第一方向移动的方式安装。此外，所述一个或多个喷嘴组中的每个包括用于沉积第一源气体的第一部分喷嘴组和用于沉积第二源气体的第二部分喷嘴组。第一部分喷嘴组包括第一源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔，第二部分喷嘴组包括第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔。

第一源气体注射喷嘴、第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔中的每个沿着与第一方向垂直的第二方向延伸，吹扫气体注射喷嘴具有向吹扫气体排出孔倾斜的斜坡。

在一个实施例中，第一源气体注射喷嘴、第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔中的每个按照沿着与第一方向垂直的第二方向延伸的缝隙形状形成。在这种情况下，具有缝隙形状的吹扫气体注射喷嘴的端部可具有斜坡。

在一个实施例中，形成在吹扫气体注射喷嘴上的所述斜坡相对于与第一方向垂直的第二方向具有大于大约0°且小于大约90°的倾斜角θ。根据需要，本领域技术人员可以在上述范围内选择合适的倾斜角。例如，考虑到吹扫气体的注射速度和注射压力，倾斜角θ在大约15°至大约60°的范围内。

在一个实施例中，第一源气体注射喷嘴和第二源气体注射喷嘴中的至少一个具有向吹扫气体注射喷嘴倾斜的斜坡。这里，所述斜坡相对于与第一方向垂直的第二方向具有大于大约0°且小于大约90°的倾斜角θ。根据需要，本领域技术人员可以在上述范围内选择合适的倾斜角。例如，考虑到源气体注射速度和沉积速度，倾斜角θ在大约15°至大约60°的范围内。

根据实施例，第一源气体注射喷嘴、第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔中的每个的长度大于基底的与第一方向垂直的宽度，或等于基底的与第一方向垂直的宽度。

在一个实施例中，喷头包括沿着第一方向顺序地布置的多个喷嘴组。

在一个实施例中，喷头包括其数量可与将要被沉积在基底上的膜的厚度对应的多个喷嘴组。

在一个实施例中，喷头还包括被布置在喷头中的第一源气体供应线、第二源气体供应线和吹扫气体供应线，第一源气体供应线用于将第一源气体供应到第一源气体注射喷嘴，第二源气体供应线用于将第二源气体供应到第二源气体注射喷嘴，吹扫气体供应线用于将吹扫气体供应到吹扫气体注射喷嘴。

在一个实施例中，第一源气体供应线、第二源气体供应线和吹扫气体供应线彼此分开。

在一个实施例中，第一源气体供应线包括连接到位于反应室外部的第一源气体储存罐的第一源气体主线以及从第一源气体主线分支以连接到每个第一源气体注射喷嘴的一个或多个第一源气体支线，第二源气体供应线包括连接到位于反应室外部的第二源气体储存罐的第二源气体主线以及从第二源气体主线分支以连接到每个第二源气体注射喷嘴的一个或多个第二源气体支线。此外，吹扫气体供应线包括连接到位于反应室外部的吹扫气体储存罐的吹扫气体主线以及从吹扫气体主线分支以连接到每个吹扫气体注射喷嘴的一个或多个吹扫气体支线。

在一个实施例中，喷头被固定地安装，基底支撑件按照基底支撑件可以沿第一方向D往复的方式安装。根据另一实施例，基底支撑件被固定地安装，喷头按照喷头可以沿第一方向D往复的方式安装。