[发明专利]采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法

权利要求书

1.一种采用Bipolar低压工艺实现的器件，所述采用Bipolar低压工艺实现的器件包括低压器件区域和耐高压器件区域，其特征在于：

所述低压器件区域和耐高压器件区域均包括：

半导体衬底和位于其上的外延层；

埋层和下隔离区，所述埋层和下隔离区位于所述半导体衬底和外延层相接处；

上隔离区，所述上隔离区位于所述下隔离区上的外延层中，所述上隔离区与所述下隔离区相连；

集电区、基区和发射区，所述集电区、基区和发射区位于所述外延层中，所述发射区位于所述基区中，所述集电区与所述埋层相连；

表面轻掺杂层，所述表面轻掺杂层位于所述低压器件区域的外延层表面和所述耐高压器件区域中下隔离区外围的外延层表面；

所述耐高压器件区域还包括有轻掺杂区，所述轻掺杂区位于上隔离区的上方的外延层中，所述轻掺杂区与上隔离区相连并向所述基区方向延伸。

2.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述采用Bipolar低压工艺实现的器件还包括：

第一互连层，位于所述外延层上，包括第一层间介质层、第一互连线，所述第一层间介质层在所述基区、集电区、发射区上形成有若干第一接触孔，第一互连线通过第一接触孔与所述基区、集电区、发射区相连；

第二互连层，位于所述第一互连层上，包括第二层间介质层、第二互连线和钝化层，在所述第二层间介质层上形成有若干第二接触孔，所述第二互连线通过第二接触孔与所述第一互连线相连，所述钝化层位于所述第二互连线上；

所述耐高压器件区域还包括有地极引线和氮化硅层，所述地极引线通过第一接触孔与所述轻掺杂区相连，所述氮化硅层位于所述第一层间介质层上；

在所述耐高压器件区域中，所述集电区环绕所述基区设置，所述基区、集电区和发射区均由所述第二互连线引出；在所述低压器件区域中，所述基区、集电区和发射区由所述第二互连线或第一互连线引出。

3.如权利要求2所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅薄膜层。

4.如权利要求2所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，在所述耐高压器件区域中，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区。

5.如权利要求3所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，在所述耐高压器件区域中，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区的宽度大于3μm，所述地极引线到所述集电区的距离小于所述集电区到所述轻掺杂区的距离一半。

6.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述外延层厚度为2.5μm～4μm，所述外延层电阻率为1.0Ω·cm～2.2Ω·cm。

7.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述半导体衬底、下隔离区、上隔离区、轻掺杂区和基区的掺杂类型为P型，所述外延层、表面轻掺杂层、埋层、发射区和集电区的掺杂类型为N型。

8.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述轻掺杂区的宽度大于上隔离区的宽度，所述轻掺杂区的表面浓度小于上隔离区的表面浓度。

9.如权利要求8所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述轻掺杂区的表面浓度比所述上隔离区的表面浓度低两个数量级。

10.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，在所述耐高压器件区域中，所述轻掺杂区与所述集电区的水平距离大于8μm。

11.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，在所述耐高压器件区域中，所述轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区的宽度为0.5μm～2μm。

12.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，在所述低压器件区域中，所述上隔离区与所述集电区的水平距离为3μm～4μm，所述上隔离区与所述基区的水平距离为3μm～4μm。

13.如权利要求1所述的采用Bipolar低压工艺实现的器件，其特征在于，所述表面轻掺杂层的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度。