[发明专利]一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层，其特征在于：该涂层是一种含钙磷且自封孔的微弧氧化活性涂层。

2.按照权利要求1所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层，其特征在于：所述涂层含有生物活性钙、磷元素；Ca所占的原子含量百分比为3～6％，P所占的原子含量百分比9～15％。

3.权利要求1所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层的制备方法，其特征在于：将电解液混合均匀后，倒入微弧氧化电解池中进行微弧氧化。

4.按照权利要求3所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层的制备方法，其特征在于：所述电解液组成为六偏磷酸钠1～8g/L、氢氧化钙0.2～2g/L、氟化钾3～12g/L。

5.按照权利要求3所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层的制备方法，其特征在于：所述微弧氧化电压为280～500V，微弧氧化时间为3～20min，交流频率为500～1000Hz。

6.按照权利要求3所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层的制备方法，其特征在于：所述微弧氧化过程中，所形成的样品表面多孔结构直接被含有钙磷的物质填充，填充率可达60％以上，无须进行后续的封孔处理。

7.权利要求3所述镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层的制备方法应用于纯镁、Mg-Zn系、Mg-Ca系、Mg-Al系、Mg-RE系、Mg-Mn系的二元或多元合金镁基金属材料表面。