[发明专利]一种新型宽幅遮阳材料及其制作方法无效
申请号: | 201210127440.4 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN102673042A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 励征 | 申请(专利权)人: | 蒙特集团(香港)有限公司 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 中国香港告士打道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 宽幅 遮阳 材料 及其 制作方法 | ||
1.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次顺序沉积的电介质膜层、金属膜层、电介质膜层、掺杂VO2膜层、电介质膜层组成。
2.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次顺序沉积的掺杂VO2膜层、电介质膜层、金属膜层、电介质膜层组成。
3.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次沉积的电介质膜层、金属膜层、电介质膜层、金属膜层、掺杂VO2膜层、电介质膜层组成。
4.权利要求1至3任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是基材膜是厚度8um-100um,宽度1000mm-2500mm的柔性连续卷材,材质选自各种塑料薄膜或者非金属材料编织物。
5.权利要求1至4任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是金属膜材质选自银、铜、金、铝、镍、锌、钼、钛、铬、锡、铂、钨、钯、钒、钽、铟中的一种或任意几种,每层膜的厚度5nm-250nm。
6.权利要求1至5任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是电介质膜层材质选自金属氧化物、金属硫化物、金属硼化物、金属碳氮化物、金属氮化物的一种或任意几种,电介质膜层沉积厚度2nm-200nm。
7.权利要求1至6任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是掺杂金属选自金、银、钨、钼、铜、铝或钛,掺杂VO2膜的沉积厚度在2nm-50nm。
8.一种新型宽幅遮阳材料的制备方法:以厚度8um-100um,宽度1000mm-2500mm的柔性连续卷材为基材,经导向辊平整连续地进入磁控溅射装置反应室内,反应室抽真空,真空度不低于2×10-3Pa,采用真空镀膜技术在基材上依次沉积各膜层。
9.权利要求8所述的宽幅遮阳的制备方法,其特征是材料基材沉积表面朝下放置。
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