[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，在该基板上形成若干相互间隔的电极，每两电极为一组，每一组的两电极之间的基板形成绝缘区；

在每一绝缘区上设置一异方性导电胶，并使该异方性导电胶与绝缘区两侧的电极接触；

在每一绝缘区的异方性导电胶上设置发光二极管芯片，并采用热压合的方式将发光二极管芯片通过异方性导电胶固定并电连接于相应绝缘区两侧的电极上；

采用封装层将发光二极管芯片覆盖于基板上；以及

切割基板形成若干个发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述在基板上形成电极的步骤还在基板上形成若干反射杯，每一反射杯内包括一组相互间隔的电极，各反射杯之间相互间隔而在基板上形成切割区。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述热压合的步骤包括在反射杯上铺设一缓冲层；采用模具将缓冲层压向发光二极管芯片并将异方性导电胶与发光二极管芯片热压合连接；以及移除模具和缓冲层的步骤。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述采用模具将缓冲层压向发光二极管芯片并将异方性导电胶与发光二极管芯片热压合连接的步骤采用的模具包括若干压块，该步骤将模具的每一压块压入每一反射杯内，以使缓冲层与发光二极管接触并进一步将发光二极管压向异方性导电胶。

5.如权利要求3或4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层采用聚四氟乙烯制成。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述热压合的步骤的操作温度为200℃至250℃之间。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片包括出光面和电极垫，该电极垫面向基板设置并通过异方性导电胶和电极连接，该出光面和电极垫相背对设置。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述异方性导电胶包括导电粒子和粘胶，该导电粒子在常态下在连接电极和发光二极管芯片的方向上不充分接触，所述采用热压合的方式将发光二极管芯片通过异方性导电胶固定并电连接于相应绝缘区两侧的电极上步骤是将发光二极管芯片压向电极以使该导电粒子在连接电极和发光二极管芯片的方向上发生键合而将电极和发光二极管芯片电性连接。

9.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：采用封装层将发光二极管芯片覆盖于基板上的步骤是采用一第二模具将置于所述反射杯的顶面上的胶状封装层压入反射杯内部以使封装层覆盖发光二极管芯片。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装层内包括荧光粉。