[发明专利]用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构无效
申请号: | 201210127616.6 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN102629825A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 邢舟;邢建力 | 申请(专利权)人: | 厦门理挚半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361008 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 实现 同步 降压 充电 升压 供电 电路 架构 | ||
1.用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构,其特征在于设有3个与外部连接的端口,4个MOS场效应晶体管M1、M2、M3、M4,1个电感L,3个电容C1、C2、Cout,1个电流采样电阻Rs和7个节点1、2、3、4、5、6、7;
所述3个与外部连接的端口为输入端口Vin、输出端口Vout和BAT端口,所述输入端口Vin与外部适配器或USB的输出相连,所述输出端口Vout与外部用电设备的电源输入相连,所述BAT端口外接可充电电池的正极;
所述MOS场效应晶体管M1的漏极接节点5,MOS场效应晶体管M1的源极接节点1,MOS场效应晶体管M1的栅极接节点G1,所述节点G1外接控制电路;
所述MOS场效应晶体管M2的漏极接节点7,MOS场效应晶体管M2的源极接节点1,MOS场效应晶体管M2的栅极接节点G2,所述节点G2外接控制电路;
所述MOS场效应晶体管M3的漏极接节点2,MOS场效应晶体管M3的源极接节点1,MOS场效应晶体管M3的栅极外接控制电路;
所述MOS场效应晶体管M4的漏极接节点2,MOS场效应晶体管M4的源极接节点4,MOS场效应晶体管M4的栅极外接控制电路;
在节点1和节点G1之间设有电阻R1,在节点1和节点G2之间设有电阻R2;
所述电流采样电阻Rs的两端分别与节点3和节点6相连;
所述电容C1的正极接节点1,电容C1的负极接节点4;
所述电容C2的正极接节点3,电容C2的负极接节点4;
所述电容Cout的正端接节点7,电容Cout的负端接节点4;
所述电感L的两端分别接节点2和节点3。
2.用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构,其特征在于设有3个与外部连接的端口,1个二极管D0,3个MOS场效应晶体管M2、M3、M4,1个电感L,3个电容C1、C2、Cout,1个电流采样电阻Rs和7个节点1、2、3、4、5、6、7;
所述3个与外部连接的端口为输入端口Vin、输出端口Vout和BAT端口,所述输入端口Vin与外部适配器或USB的输出相连,所述输出端口Vout与外部用电设备的电源输入相连,所述BAT端口外接可充电电池的正极;
所述二极管D0的正极接输入端口Vin,二极管D0的负极接节点1;
所述MOS场效应晶体管M2的漏极接节点7,MOS场效应晶体管M2的源极接节点1,MOS场效应晶体管M2的栅极接节点G2,所述节点G2外接控制电路;
所述MOS场效应晶体管M3的漏极接节点2,MOS场效应晶体管M3的源极接节点1,MOS场效应晶体管M3的栅极外接控制电路;
所述MOS场效应晶体管M4的漏极接节点2,MOS场效应晶体管M4的源极接节点4,MOS场效应晶体管M4的栅极外接控制电路;
在节点1和节点G2之间设有电阻R2;
所述电流采样电阻Rs的两端分别与节点3和节点6相连;
所述电容C1的正极接节点1,电容C1的负极接节点4;
所述电容C2的正极接节点3,电容C2的负极接节点4;
所述电容Cout的正端接节点7,电容Cout的负端接节点4;
所述电感L的两端分别接节点2和节点3。
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