[发明专利]嵌入式设备主备用电源控制装置有效
申请号: | 201210127655.6 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102684294A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 田雨农;苍柏 | 申请(专利权)人: | 大连楼兰科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116025 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 设备 备用 电源 控制 装置 | ||
1.一种嵌入式设备主备用电源控制装置,有主电源供电电路,主电源供电电路的输出通过充电电路与锂电池相接,其特征在于:所述主电源供电电路通过电子开关电路K1与嵌入式设备相接,电子开关电路K1的输出端与地之间接有蓄电元件;所述锂电池的输出端通过相串联的电子开关电路K2和电子开关电路K3与嵌入式设备相接;所述电子开关电路K1和电子开关电路K2均由主电源供电电路的输出控制且两者的开关状态相反;所述电子开关电路K3由嵌入式设备控制。
2.根据权利要求1所述的嵌入式设备主备用电源控制装置,其特征在于:所述电子开关电路K1设有功率场效应晶体管Q5及NPN三极管Q6,所述功率场效应晶体管Q5的栅极与漏极之间接有电阻R7,功率场效应晶体管Q5的栅极通过电阻R8与NPN三极管Q6的集电极相接,NPN三极管Q6的发射极接地,NPN三极管Q6的基极与电阻R9相接,所述主电源供电电路直接与功率场效应晶体管Q5的源极相接并通过电阻R9与NPN三极管Q6相接;所述电子开关电路K2设有功率场效应晶体管Q1及PNP三极管Q2,所述功率场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间接有电阻R1,功率场效应晶体管Q1的栅极通过电阻R2与PNP三极管Q2的发射极相接,PNP三极管Q2的集电极接地,PNP三极管Q2的基极与电阻R3相接,PNP三极管Q2的基极与集电极之间接有电阻R4,所述主电源供电电路通过电阻R3与PNP三极管Q2相接,所述锂电池与功率场效应晶体管Q1的源极相接;所述电子开关电路K3设有功率场效应晶体管Q3及NPN三极管Q4,所述功率场效应晶体管Q3的源极与栅极之间接有电阻R5,功率场效应晶体管Q3的栅极通过电阻R6与NPN三极管Q4的集电极相接,NPN三极管Q4的发射极接地,NPN三极管Q6的基极与嵌入式设备相接,所述功率场效应晶体管Q1的漏极与地之间分别接有电容C1和蓄电池E1,所述功率场效应晶体管Q5及功率场效应晶体管Q3的漏极与嵌入式设备直接相接并分别通过电容C2和蓄电池E2与地相接。
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