[发明专利]一种改变电磁波阔度的超材料装置

权利要求书

1.一种改变电磁波阔度的超材料装置，其特征在于：包括同中心轴设置的第一超材料板以及第二超材料板，所述第一超材料板长度小于第二超材料板长度；所述第一超材料板包括多片折射率分布相同的第一功能超材料片层，所述第二超材料板包括多片折射率分布相同的第二功能超材料片层；所述第一功能超材料片层的折射率以第一功能超材料片层的中心点为圆心呈圆形分布，相同半径r处的折射率相同，半径为r处的折射率分布规律为：

n(r)=nmin+mod[nmax-nminλ(r2+ss12-ss1),nmax-nmin];]]>

所述第二功能超材料片层的折射率以第二功能超材料片层的中心点为圆心呈圆形分布，相同半径R处的折射率相同，半径为R处的折射率分布规律为：

n(R)=nmax-mod[nmax-nminλ(R2+ss22-ss2),nmax-nmin];]]>

其中，ss₁为馈源距第一超材料板的垂直距离，ss₂为馈源距第二超材料板的垂直距离，n_max为第一超材料板以及第二超材料板上的最大折射率值，n_min为第一超材料板以及第二超材料板上的最小折射率值，mod为求模运算函数，λ为馈源辐射的电磁波波长。

2.如权利要求1所述的超材料装置，其特征在于：所述第一超材料板还包括M片折射率分布不同的第一渐变超材料片层，其中第一层第一渐变超材料片层的折射率为n_min，除第一层第一渐变超材料片层外，M层第一渐变超材料片层中第j层第一渐变超材料片层的折射率分布与第一功能超材料片层的折射率分布n(r)的对应关系为：

n_j(r)＝(n_min)^j/M×(n(r))^(M-j)/M。