[发明专利]通用掩模版及其应用有效
| 申请号： | 201210127846.2 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103376645A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 宋矿宝 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高为;李浩 |
| 地址： | 214028 中国无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通用 模版 及其 应用 | ||
1.一种至少用于两种光刻机的曝光作业的通用掩模版，包括：
多个第一掩模版对位标记，以及
多个第二掩模版对位标记，
其中，所述第一掩模版用于第一种光刻机的曝光，所述第二掩模版用于第二种光刻机的曝光。
2.如权利要求1所述的通用掩模版，其中，所述第一种光刻机为ASML步进光刻机。
3.如权利要求1或2所述的通用掩模版，其中，所述第二种光刻机为NIKON步进光刻机。
4.如权利要求3所述的通用掩模版，其中，所述多个第一掩模版对位标记包括去除掉水平方向上的里面2个相距96mm的对位标记后的ASML用掩模版的所有剩余的对位标记。
5.如权利要求4所述的通用掩模版，其中，所述多个第二掩模版对位标记包括水平方向上相距87mm的两个NIKON用掩模版对位标记、下方的NIKON用掩模版对准标记，以及划片槽中的NIKON专用对位标记。
6.两种光刻机之间的对位互套作业的方法，包括：
在第一种光刻机上进行零次光刻，
在第一种光刻机上使用如权利要求1所述的通用掩模版进行一次光刻，以及
在第一种或第二种光刻机上进行后续光刻。
7.如权利要求6所述的对位互套作业的方法，其中，所述第一种光刻机为ASML步进光刻机。
8.如权利要求7所述的对位互套作业的方法，其中，所述第二种光刻机为NIKON步进光刻机。
9.如权利要求8所述的对位互套作业的方法，其中，所述后续光刻还包括两种光刻机之间的对准匹配步骤。
10.如权利要求9所述的对位互套作业的方法，其中，所述对准匹配步骤包括以所述ASML步进光刻机为基准，修正所述NIKON步进光刻机的预对准机器常数。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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