[发明专利]一种MRI磁信号增强器件

权利要求书

1.一种MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间，所述MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料，所述负磁导率超材料包括基板及固定在基板上的人造微结构层，所述人造微结构层上周期性的阵列排布多个人造微结构，所述人造微结构由四个相同的人造微结构单元构成，所述任一人造微结构单元绕同一旋转轴旋转90°、180°、270°后分别与其它三个人造微结构单元重合，所述人造微结构单元由一根金属线通过多重绕线的方式形成多重嵌套的凹形开口谐振环。

2.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述超材料由两层所述基板与三层所述人造微结构层相间层叠而成。

3.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述人造微结构单元的位置是一一对应的，所述人造微结构单元开口方向为，两外层人造微结构单元的开口方向相同，中间层人造微结构单元与外层人造微结构单元的开口方向相反。

4.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述基板为FR-4有机高分子基板或陶瓷基板。

5.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述基板的厚度为0.10-0.30mm。

6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述金属线线宽0.05-0.15mm。

7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述金属线线间距0.05-0.15mm。

8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述金属线线厚度0.015-0.020mm。

9.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述人造微结构的尺寸为30mm×30mm。

10.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述金属线绕线圈数大于2。