[发明专利]一种CMOS FinFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS FinFET器件，包括：

衬底，包括第一区域和第二区域；

鳍式结构，设置在所述衬底上，所述鳍式结构包括在所述第一区域中的第一鳍状件和在所述第二区域中的第二鳍状件；

绝缘材料，设置在所述衬底上以及在所述第一鳍状件和第二鳍状件之间；

所述第一鳍状件的第一部分，包含与所述衬底的材料相同的材料；

所述第一鳍状件的第二部分，包含沉积在所述第一鳍状件的所述第一部分上的III-V半导体材料；

所述第二鳍状件的第一部分，包含与所述衬底的材料相同的材料；

所述第二鳍状件的第二部分，包含沉积在所述第二鳍状件的所述第一部分上的锗(Ge)材料；以及

栅极结构，设置在包括所述III-V半导体材料的第一鳍状件的中心部分上、用于隔离所述CMOS FinFET器件的N型金属氧化物半导体(NMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区，以及设置在包括所述Ge材料的第二鳍状件的中心部分上、用于隔离CMOS FinFET器件的P型金属氧化物半导体(PMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区；

其中所述NMOS器件的源极区和漏极区限定它们之间的NMOS器件的沟道区；以及

其中所述PMOS器件的源极区和漏极区限定它们之间的PMOS器件的沟道区。

2.如权利要求1所述的CMOS FinFET器件，进一步包括：

所述第一鳍状件的第三部分，包含第一掺杂半导体材料，所述第一掺杂半导体材料沉积在所述NMOS器件的所述源极区和漏极区中的所述第一鳍状件的所述第二部分上；以及

所述第二鳍状件的第三部分，包含第二掺杂半导体材料，所述第二掺杂半导体材料沉积在所述PMOS器件的所述源极区和漏极区中的所述第二鳍状件的所述第二部分上。

3.如权利要求2所述的CMOS FinFET器件，其中所述第一掺杂半导体材料与所述第二掺杂半导体材料不同；

其中所述第一掺杂半导体材料不包括在所述NMOS器件的所述沟道区中；

其中所述第二掺杂半导体材料不包括在所述PMOS器件的所述沟道区中；

其中所述第一鳍状件的所述第三部分在所述绝缘材料上延伸第一高度；以及

其中所述第二鳍状件的所述第三部分在所述绝缘材料上延伸第二高度，所述第二高度和第一高度大体上相同。

4.一种形成CMOS FinFET器件的方法，包括：

提供包括第一区域和第二区域的衬底；

在所述衬底上形成包括第一鳍状件和第二鳍状件的鳍式结构，所述第一鳍状件形成在所述第一区域中，并且所述第二鳍状件形成在所述第二区域中；

在所述鳍式结构上沉积绝缘材料，使得所述第一鳍状件介于所述第一区域中的所述绝缘材料之间并且所述第二鳍状件介于所述第二区域中的所述绝缘材料之间；

回蚀刻介于所述第一区域中的所述绝缘材料之间的所述第一鳍状件以及介于所述第二区域中的所述绝缘材料之间的所述第二鳍状件；

在回蚀刻后的所述第一鳍状件上以及所述第一区域中的所述绝缘材料之间外延生长III-V半导体材料；

在回蚀刻后的所述第二鳍状件上以及所述第二区域中的所述绝缘材料之间外延生长锗(Ge)材料；以及

回蚀刻所述绝缘材料从而限定所述第一鳍状件的第一高度和所述第二鳍状件的第二高度，所述第一高度从所述绝缘材料的顶面至所述第一鳍状件的所述III-V半导体材料的顶面测量得到，并且所述第二高度从所述绝缘材料顶面至所述第二鳍状件的所述Ge材料的顶面测量得到。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在所述第一鳍状件的所述III-V半导体材料的中心部分上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构将所述CMOS FinFET器件的N型金属氧化物半导体(NMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区隔离；以及

在所述第二鳍状件的所述Ge材料的中心部分上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构将所述CMOS FinFET器件的P型金属氧化物半导体(PMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区隔离。