[发明专利]固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷有效

专利信息
申请号: 201210129278.X 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN102757650A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 中西康二;田崎太一;长谷川公一 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C08L83/07 分类号: C08L83/07;C08L83/05;C08G77/20;H01L33/56
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固化 组合 半导体 装置 以及 聚硅氧烷
【权利要求书】:

1.一种固化性组合物,其特征在于,其为含有:具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、除聚硅氧烷(A)之外的每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物,以该固化性组合物中所含的全部成分的含量合计为100质量%时,聚硅氧烷(A)的含有比例为40~90质量%。

2.根据权利要求1所述的固化性组合物,其中,以聚硅氧烷(A)中所含的全部Si原子的数目为100摩尔%时,聚硅氧烷(A)中烯基的含量为3~50摩尔%,密接性基团的含量为0.01~10摩尔%。

3.根据权利要求2所述的固化性组合物,其中,所述密接性基团是具有环氧基的基团。

4.根据权利要求3所述的固化性组合物,其中,所述聚硅氧烷(A)由如下化学式表示:

(RViR12SiO1/2)a(R13SiO1/2)b(RViR1SiO2/2)c(REPR1SiO2/2)d(R12SiO2/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)h(XO1/2)i

式中,RVi表示具有烯基的基团,REp表示具有环氧基的基团,R1各自独立地表示除具有烯基的基团之外的1价的烃基,X表示氢原子或者碳原子数1至3的烷基,a表示0以上的整数、b表示0以上的整数、c表示0以上的整数、d表示1以上的整数、e表示0以上的整数、f表示0以上的整数、h表示0以上的整数,i表示0以上的整数,并且a+c为1以上的整数。

5.根据权利要求4所述的固化性组合物,其中,聚硅氧烷(A)具有芳基,并且以聚硅氧烷(A)中所含的全部Si原子的数目为100摩尔%时,聚硅氧烷(A)中所含的芳基的含量为3O~120摩尔%。

6.一种固化物,其特征在于,其由权利要求1~5中任一项所述的固化性组合物获得。

7.一种光半导体装置,其特征在于,其具有半导体发光元件和覆盖该半导体发光元件的权利要求6所述的固化物。

8.一种聚硅氧烷,其由如下化学式表示:

(RViR12SiO1/2)a(R13SiO1/2)b(RViR1SiO2/2)c(REPR1SiO2/2)d(R12SiO2/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)h(XO1/2)i

式中,RVi表示具有烯基的基团,REp表示具有环氧基的基团,R1各自独立地表示除具有烯基的基团之外的1价的烃基,X表示氢原子或者碳原子数1至3的烷基,a表示0以上的整数、b表示0以上的整数、c表示0以上的整数、d表示1以上的整数、e表示0以上的整数、f表示0以上的整数、h表示0以上的整数,i表示0以上的整数,并且a+c为1以上的整数。

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