[发明专利]垂直双激励可控电抗器无效
申请号: | 201210129529.4 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102682956A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 蒋正荣 | 申请(专利权)人: | 蒋正荣 |
主分类号: | H01F21/08 | 分类号: | H01F21/08;H01F27/28;H01F27/24 |
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地址: | 100144 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 激励 可控 电抗 | ||
1.垂直双激励可控电抗器,包括绝缘套筒(2)、铁芯圆筒(3)、交流线圈绕组(5)和直流偏置绕组(4),其特征在于,所述的直流偏置绕组缠绕在铁芯圆筒的内外,连接直流偏置电流,铁芯圆筒用作电抗器交直流磁通的主要作用区,套在交流线圈绕组内,交流线圈绕组作为工作绕组串接在交流工作回路中;交流线圈绕组和直流偏置绕组互相垂直并分别通以交流和直流电流,通过交直流磁场的相互作用改变电抗器铁芯的张量磁导率,改变电抗器的电抗值。
2.根据权利要求1所述的垂直双激励可控电抗器,其特征在于,所述的直流偏置绕组为非晶纳米晶环状螺线管,由单独的直流激磁电源供电。
3.根据权利要求2所述的垂直双激励可控电抗器,其特征在于,所述的非晶纳米晶环状螺线管的轴线与交流线圈绕组的中心轴线重合,直流激磁电源为可调直流电源。
4.根据权利要求1或2所述的垂直双激励可控电抗器,其特征在于,所述的可控电抗器还包括套在铁芯圆筒外的铁轭(1),所述的铁轭为铁芯圆筒上的交流主磁通提供低磁阻回路。
5.根据权利要求4所述的垂直双激励可控电抗器,其特征在于,所述的铁轭采用三层结构,中间层(7)的铁轭内高为铁芯圆筒的高度,内、外(6、8)两层铁轭覆盖铁芯圆筒的两侧面积,高度比中间层高度高出2倍直流偏置线圈的线径。
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