[发明专利]一种有机电子器件

权利要求书

1.一种有机电子器件，其特征在于：所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；

所述有机存储层由有机共轭分子组成；

所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述栅电极、源电极和漏电极的材质均为金属、导电金属氧化物、导电碳材料或导电聚合物。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于：所述栅电极、源电极和漏电极的材质均为金、银或重掺杂硅。

4.根据权利要求1-3中任一所述的电子器件，其特征在于：所述栅绝缘层的材质为无机氧化物绝缘层或有机聚合物绝缘层。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于：所述栅绝缘层的材质为二氧化硅或聚丙烯腈。

6.根据权利要求1-5中任一所述的电子器件，其特征在于：所述有机共轭分子为2，2’-(2，8-二癸基蒽并[2，3-b：6，7-b’]二噻吩-5，11-二亚基)二丙二腈。

7.根据权利要求1-6中任一所述的电子器件，其特征在于：所述聚噻吩类有机聚合物为3-正己基聚噻吩。

8.根据权利要求1-7中任一所述的电子器件，其特征在于：所述有机存储层的厚度为5nm～200nm；所述有机半导体层的厚度为10nm～400nm。