[发明专利]加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201210129802.3 | 申请日: | 2010-07-21 |
公开(公告)号: | CN102709213A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;金杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 衬底 处理 以及 半导体 制造 方法 | ||
1.一种加热装置,
具有:
形成为环状的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
其特征在于,
设定为:至少在所述发热体为室温状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。
2.一种加热装置,
具有:
构成为环状部的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
其特征在于,
设定为:至少在使所述发热体升温前的状态下,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。
3.一种加热装置,
具有:
形成为环状的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
其特征在于,
所述固定部沿所述发热体的周向设有多个,
设定为:至少在所述发热体为室温状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从邻接的所述固定部之间的中间位置向所述固定部接近而变小。
4.一种加热装置,
具有:
构成为环状部的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
其特征在于,
所述固定部沿所述发热体的周向设有多个,
设定为:至少在使所述发热体升温前的状态下,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从邻接的所述固定部之间的中间位置向所述固定部接近而变小。
5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,
具有以下工序:
将衬底搬入设在加热装置的发热体的内侧的处理室内的工序,其中,所述加热装置具有形成为环状的所述发热体、以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体、将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部;
使所述发热体升温,对所述处理室内的衬底进行加热处理的工序,
设定为:至少在所述发热体为室温状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。
6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,
具有以下工序:
将衬底搬入设在加热装置的发热体的内侧的处理室内的工序,其中,所述加热装置具有构成为环状部的发热体、以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体、将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部;
使所述发热体升温,对所述处理室内的衬底进行加热处理的工序,
设定为:至少在使所述发热体升温前的状态下,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大。
7.一种衬底处理装置,具有加热装置和处理室,
所述加热装置具有:
形成为环状的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
并且设定为:至少在所述发热体为室温状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大,
所述处理室对设在该加热装置的内部的衬底进行处理。
8.一种衬底处理装置,具有加热装置和处理室,
所述加热装置具有:
构成为环状部的发热体;
以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;
将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,
并且设定为:至少在使所述发热体升温前的状态下,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大,
所述处理室对设在该加热装置的内部的衬底进行处理。
9.如权利要求1所述的加热装置,其特征在于,
所述固定部沿着所述发热体的周向设在两处,
所述固定部被配置成将所述发热体在周向范围大致二等分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210129802.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电力控制和供应系统
- 下一篇:用于模拟执行可执行临床指引的决策支持系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造