[发明专利]穿硅通孔及其制作方法有效
| 申请号： | 201210129959.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103311198A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邱钰珊;苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 及其 制作方法 | ||
1.一种穿硅通孔，其特征在于，包含：
绝缘层，连续的衬在凹入过孔结构的侧壁上；
阻障层，连续的覆盖着所述绝缘层；
不连续晶种层，包含第一部位，位于所述凹入过孔结构的一端开口处；
不连续介电层，部分覆盖住所述凹入过孔结构的侧壁；以及
导电层，填入所述凹入过孔结构。
2.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述导电层为一镀铜金属层。
3.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述绝缘层包含有氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述阻障层包含有氮化钽、氮化钛、氮化碳钽或钛钨合金。
5.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述不连续晶种层包含有钨。
6.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，该不连续晶种层为以物理气相沉积工艺所沉积的钨。
7.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述不连续介电层包含有氧化硅。
8.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述不连续介电层将所述不连续晶种层的第一部位与所述导电层隔离。
9.根据权利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于，所述不连续晶种层具有一第二部位，且所述第二部位不被所述不连续介电层覆盖。
10.一种穿硅通孔，其特征在于，包含有：
绝缘层，连续的衬在凹入过孔结构的侧壁上；
阻障晶种层，连续的覆盖着所述绝缘层；
不连续介电层，部分覆盖住所述凹入过孔结构的侧壁；以及
铜金属层，填入所述凹入过孔结构。
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