[发明专利]划刻光伏器件期间随时间改变激光强度的方法有效
申请号: | 201210129991.4 | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN102744520A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | J·M·弗里 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 划刻光伏 器件 期间 随时 改变 激光 强度 方法 | ||
1.一种激光划刻膜堆叠(13)的方法,所述膜堆叠包括衬底(12)上的多个薄膜层,所述方法包括:
施加激光束(30)的脉冲到所述膜堆叠(13)上,其中所述激光束(30)具有在完成预定功率周期的脉冲期间作为时间的函数而变化的功率,其中所述脉冲持续大约0.1纳秒至大约500纳秒;以及
跨所述膜堆叠(13)重复所述激光束(30)的脉冲以形成通过所述衬底(12)上的薄膜层中的至少一个的划刻线(44)。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述功率周期限定不同于第二功率水平的第一功率水平,其中所述第一功率水平配置成划刻所述衬底(12)上的第一薄膜层,并且其中所述第二功率水平配置成划刻下面的第二薄膜层。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述功率周期限定不同于第二功率水平的第一功率水平,其中所述激光束(30)的功率对于是所述脉冲的大约10%至大约90%的第一持续时间保持在所述第一功率水平。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述激光束的功率对于第二持续时间保持在所述第二功率水平,所述第二持续时间短于所述第一持续时间,并且其中所述第一功率水平小于所述第二功率水平。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述第二持续时间是所述脉冲的大约0.5%至小于所述脉冲的50%。
6.如权利要求3所述的方法,其中所述功率周期进一步限定第三功率水平,其不同于所述第一功率水平和所述第二功率水平两者,其中所述激光束(30)的功率对于是所述脉冲的大约0.001%至大约50%的第三持续时间保持在所述第三功率水平。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述激光束(30)的功率对于所述脉冲持续时间的大约0.01%至大约25%保持在所述第三功率水平。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述第一功率水平小于所述第三功率水平和第二功率水平两者。
9.如权利要求8所述的方法,其中在所述脉冲的功率周期中,所述第三功率水平在顺序上是在所述第一功率水平之前,并且其中在所述脉冲的功率周期中,所述第一功率水平在顺序上是在所述第二功率水平之前。
10.一种激光划刻基于碲化镉薄膜的光伏器件的方法,所述方法包括:
提供基于碲化镉薄膜的光伏器件(10),其中所述基于碲化镉薄膜的光伏器件(10)包括玻璃顶板(12)和膜堆叠(13),所述膜堆叠(13)包括所述玻璃顶板(12)之上的透明导电氧化物层(14)、所述透明导电氧化物层(14)之上的高阻透明缓冲层(16)、所述高阻透明缓冲层(16)之上的硫化镉层(18)以及所述硫化镉层(18)上的碲化镉层(20);
施加激光束(30)的脉冲到所述膜堆叠(13)上,其中所述激光束(30)具有在根据预定功率周期的脉冲期间作为时间的函数而变化的功率,其中所述脉冲持续大约0.1纳秒至大约500纳秒;以及
跨所述基于碲化镉薄膜的光伏器件(10)重复所述激光束(30)的脉冲以在所述膜堆叠(13)中形成划刻线。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述功率周期限定不同于第二功率水平的第一功率水平,其中所述激光束(30)的功率对于是所述脉冲的大约10%至大约90%的第一持续时间保持在所述第一功率水平。
12.如权利要求11所述的方法,其中在所述脉冲的功率周期中,所述第一功率水平在顺序上是在所述第二功率水平之前。
13.如权利要求11所述的方法,其中所述激光束(30)的功率对于第二持续时间保持在所述第二功率水平,所述第二持续时间短于所述第一持续时间,并且其中所述第一功率水平小于所述第二功率水平。
14.如权利要求11所述的方法,其中所述功率周期进一步限定第三功率水平,其不同于所述第一功率水平和所述第二功率水平两者,其中所述激光束的功率对于是所述脉冲的大约0.5%至大约50%的第三持续时间保持在所述第三功率水平。
15.如权利要求14所述的方法,其中在所述脉冲的功率周期中,所述第三功率水平在顺序上是在所述第一功率水平之前,并且其中在所述脉冲的功率周期中,所述第一功率水平在顺序上是在所述第二功率水平之前。
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