[发明专利]封装

说明书

相关申请的引用

本申请以日本专利申请2011-250469(申请日：2011年11月16日)为基础，并享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种封装。

背景技术

作为半导体元件的封装，已知树脂密封型封装和气密密封型封装。

树脂密封型封装中，搭载在引线框上的半导体元件通过传递模塑直接被埋入树脂内。树脂密封型封装由于成本低、适于大量生产、能实现小型化等优点而被广泛采用。

气密密封型封装中，搭载在由陶瓷等绝缘体构成的基体上的半导体元件被气密保持在封装所形成的空间内。气密密封型封装与树脂密封型封装相比成本高，但气密性优良。因此，气密密封型封装在要求高可靠性的情况下被采用。

气密密封型封装中，已知半导体元件被直接搭载在由构成封装的一部分的金属构成的散热体上、并且输入端子部以及输出端子部具有凸状馈通(feed through)结构的封装的例子。

馈通部的特性阻抗优选为50Ω。但是，气密密封型封装的馈通部被接地的金属外壁包围，因此，馈通部的特性阻抗低于50Ω。通过将馈通部的信号线形成得较细，可以使其特性阻抗为50Ω。但是，馈通部的功能是通过电流和信号，如果使信号线较细，则馈通部的耐电力将降低。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种在微波段的半导体装置所使用的气密性高的封装中、可以无损于馈通部的耐电力而将特性阻抗保持在50Ω的封装。

本实施方式的封装具备：导体底板；配置在导体底板上的设有贯穿孔的金属壁；配置在导体底板上的馈通下层部；配置在馈通下层部上的布线图形；在馈通下层部上的一部分以及布线图形上的一部分配置的馈通上层部；以及配置在布线图形上的端子。另外，馈通下层部的一部分比贯穿孔大，馈通下层部与金属壁的侧面密接，馈通上层部比贯穿孔大，馈通上层部与金属壁的侧面密接，另外，在布线图形和贯穿孔的内壁之间设有间隙。

通过上述结构的封装，可以提供一种可以无损于馈通部耐电力而将特性阻抗保持在50Ω的、微波段的半导体装置中使用的气密性高的封装。

附图说明

图1是第一实施方式的封装的示意性鸟瞰图，即图1(a)金属盖10、图1(b)金属密封圈14a、图1(c)金属壁16、图1(d)导体底板200、馈通下层部20、馈通下层部20上的输入带状线19a及输出带状线19b、以及馈通上层部22的示意性结构图。

图2是第一实施方式的封装的示意性平面图形结构图。

图3是第一实施方式的封装的示意性截面结构，即沿着图2的I-I线的示意性截面结构图。

图4是第一实施方式的封装的示意性截面结构，即沿着图2的II-II线的示意性截面结构图。

图5是第一实施方式的封装的示意性截面结构，即沿着图2的III-III线的示意性截面结构图。

图6是第一实施方式的封装的示意性截面结构，即沿着图2的IV-IV线的示意性截面结构图。

图7是第一实施方式的封装的输出端子附近的馈通结构的扩大的示意性平面图形结构图。

图8是第一实施方式的封装的输出端子附近的馈通结构的扩大的截面结构，即沿着图7的V-V线的示意性截面结构图。

图9(a)是能搭载在第一实施方式的封装中的半导体装置的示意性平面图形结构例、图9(b)是图9(a)的J部分的扩大图。

图10是能搭载在第一实施方式的封装中的半导体装置的结构例1，即沿着图9(b)的VI-VI线的示意性截面结构图。

图11是能搭载在第一实施方式的封装中的半导体装置的结构例2，即沿着图9(b)的VI-VI线的示意性截面结构图。

图12是能搭载在第一实施方式的封装中的半导体装置的结构例3，即沿着图9(b)的VI-VI线的示意性截面结构图。

图13是能搭载在第一实施方式的封装中的半导体装置的结构例4，即沿着图9(b)的VI-VI线的示意性截面结构图。

图14是第二实施方式的封装的示意性鸟瞰图，即图14(a)金属盖10、图14(b)金属密封圈14a、图14(c)金属壁16、图14(d)具备锪孔加工部40的导体底板200、馈通下层部30、馈通下层部30上的输入带状线19a及输出带状线19b、以及馈通上层部22的示意性结构图。

图15是第二实施方式的封装的示意性截面结构，即沿着图2的I-I线的示意性截面结构图。