[发明专利]高带宽的耐辐射多模光纤

权利要求书

1.一种多模光纤，包括：

由外包层包住的中央纤芯，其中，

(i)所述中央纤芯的外半径为r₁，

(ii)所述中央纤芯具有α折射率分布，

(iii)所述中央纤芯相对于所述外包层的最大折射率差Δn₁小于或等于0，以及

(iv)在所述外半径r₁处，所述中央纤芯相对于所述外包层的最小折射率差为Δn_end；以及

位于所述中央纤芯和所述外包层之间的内部包层，所述内部包层相对于所述外包层的折射率差为负；

其中，所述中央纤芯的最大锗浓度为0.1重量百分比以下；

所述中央纤芯的平均氯浓度为0.1重量百分比以下；以及

在所述外半径r₁处，所述中央纤芯的最小氟浓度为3重量百分比以上。

2.根据权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，所述内部包层是直接包住所述中央纤芯的内包层，其中，

(i)所述内包层的外半径为r₂，

(ii)所述内包层的宽度为w₂，以及

(iii)所述内包层相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₂。

3.根据权利要求2所述的多模光纤，其特征在于，还包括：

位于所述内包层和所述外包层之间的埋槽，其中，

(i)所述埋槽的外半径为r₃，

(ii)所述埋槽的宽度为w₃，以及

(iii)所述埋槽相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₃，并且Δn₃＜Δn_end；以及

位于所述埋槽和所述外包层之间的中间包层，其中，

(i)所述中间包层的外半径为r₄，

(ii)所述中间包层的宽度为w₄，以及

(iii)所述中间包层相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₄。

4.根据权利要求1所述的多模光纤，其特征在于，

还包括位于所述中央纤芯和所述外包层之间的埋槽，其中，

(i)所述埋槽的外半径为r₃，

(ii)所述埋槽的宽度为w₃，以及

(iii)所述埋槽相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₃，并且Δn₃＜Δn_end；以及

所述内部包层是位于所述埋槽和所述外包层之间的中间包层，其中，

(i)所述中间包层的外半径为r₄，

(ii)所述中间包层的宽度为w₄，以及

(iii)所述中间包层相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₄。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的多模光纤，其特征在于，所述中央纤芯基本不含锗掺杂物，以使得所述中央纤芯的锗浓度小于0.005重量百分比。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的多模光纤，其特征在于，所述多模光纤的纤芯-包层平均卤素比为20以上，优选为25以上，更优选为48以上，并且最优选为60以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的多模光纤，其特征在于，所述多模光纤在所述中央纤芯的外半径r₁处的卤素比为50～500。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的多模光纤，其特征在于，所述多模光纤的纤芯平均卤素比为20以上，优选为30～170。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的多模光纤，其特征在于，所述中央纤芯的平均氯浓度为0.08重量百分比以下，优选为0.07重量百分比以下，更优选为0.06重量百分比以下，并且最优选为0.05重量百分比以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的多模光纤，其特征在于，在所述中央纤芯的整个宽度内，所述中央纤芯的氯浓度小于0.1重量百分比，优选小于0.08重量百分比，更优选小于0.07重量百分比，并且最优选为0.05重量百分比。