[发明专利]镀膜静电消除装置无效
申请号: | 201210131052.3 | 申请日: | 2012-05-02 |
公开(公告)号: | CN102644060A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 王创茂 | 申请(专利权)人: | 福建泰兴特纸有限公司 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;H05F3/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362400 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 静电 消除 装置 | ||
技术领域
本发明属于镀膜技术领域,具体涉及一种镀膜静电消除装置。
背景技术
镀铝产品膜上均附带静电离子,因原材料、涂层及环境温度、湿度等因素影响,镀铝时产生放静电火光使产品变形、膜邹及黑线条等现象,且在BOPP转移膜等非极性塑料薄膜上镀铝时会产生静电树纹,常用解决方法是增加一道电晕机处理,而增加电晕机后会使膜变形,速度只能达到60M/MIN,造成产品合格率与效率低下。
发明内容
本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足,提供一种镀膜静电消除装置,可有效解决镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象,提高产品合格率及生产效率。
本发明所采用的技术方案是:一种镀膜静电消除装置,包括真空镀膜室,所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊,所述放卷气涨轴上有原膜,所述原膜穿过导辊进入镀膜辊后收卷,所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源,该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面,所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。
作为优选,所述阳极膜线性离子源为CDNY-YJM1000。
作为优选,所述阳极膜线性离子源的正面发射沟道上安装挡板。
作为优选,所述阳极膜线性离子源安装在放卷气涨轴与第一根导辊之间的原膜下方平行间距≥200mm以上。
作为优选,所述阳极膜线性离子源的阴阳电极连接至离子源控制柜。
作为优选,所述离子源控制柜上设有质量流量计。
作为优选,所述质量流量计为日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000。
作为优选,所述阳极膜线性离子源上连接冷却水源。
作为优选,所述阳极膜线性离子源与所述高纯氩气瓶之间安装减压阀。
本发明的有益效果在于:本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象,使复合膜合格率83%提高到94%以上,并且解决了BOPP转移膜的静电树纹,无需增加电晕机处理,避免膜变形,可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层,直接联机处理速度可达到350M/MIN以上,提高生产效率及产品质量合格率。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明侧视图。
图中:1、真空镀膜室;2、放卷气涨轴;3、导辊;4、原膜;5、高纯氩气瓶;6、离子源控制柜;7、冷却水源;8、质量流量计;9、阳极膜线性离子源;10、挡板;11、镀膜辊。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例一:如图1和图2所示,一种镀膜静电消除装置,包括真空镀膜室1,所述真空镀膜室1内设有放卷气涨轴2、导辊3和镀膜辊11,所述放卷气涨轴2有原膜4,所述原膜4先经过阳极膜线性离子源9处理后穿入导辊3进入镀膜辊11再到收卷,所述真空镀膜室1内安装有阳极膜线性离子源9,该阳极膜线性离子源9的正面发射沟道朝向所述原膜4所在平面,如图2所示,所述阳极膜线性离子源9安装在放卷气涨轴2与第一根导辊3之间的原膜4下方平行≥200mm位置,本实施例的阳极膜线性离子源9为CDNY-YJM1000离子源。
所述阳极膜线性离子源9连接高纯氩气瓶5,以接入高纯氩气,所述阳极膜线性离子源9与所述高纯氩气瓶5之间安装减压阀,将压力控制在2.0Mpa。所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极连接至离子源控制柜6,本实施例采用CDNY-DCM05控制柜,所述离子源控制柜6上设有质量流量计8,本实施例采用日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000,用于控制离子能量大小及真空度(下室为8.0*10-2Pa,上室为5.0*10-1Pa)。所述阳极膜线性离子源9上连接冷却水源7,通18-28℃冷却水散热离子源磁场热能,控制频率、占空比、电流、电压及流量大小。
所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极线与高纯氩气瓶5和冷却水源7的连接线均由∮48mm高真空波纹管导出真空镀膜室1,为避免漏真空,所述高真空波纹管通过法兰与密封垫圈与所述真空镀膜室1相连。
所述阳极膜线性离子源9正面发射沟道上安装有挡板10,所述挡板10通过不锈钢支架连接。
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