[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

玻璃衬底；

位于所述玻璃衬底上水平方向间隔排列的多个串联的太阳能电池单元组，所述多个串联的太阳能电池单元组的结构相同；

所述太阳能电池单元组包括多个竖直方向堆叠的太阳能电池单元，多个太阳能电池单元串联连接，太阳能电池单元组中缺陷最多的太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元，所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多，所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元，所述第一太阳能电池单元的缺陷最多，所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三太阳能电池单元的缺陷比所述第二太阳能电池单元的缺陷多，所述第三太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。

5.如权利要求2~4任意一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一太阳能电池单元为非晶硅太阳能电池单元，所述第二太阳能电池单元为微晶硅太阳能电池单元。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缺陷最多的太阳能电池单元包括位于所述玻璃衬底上的、水平方向间隔排列的至少两个太阳能电池子单元，所述太阳能电池单元组的其他太阳能电池单元位于所述缺陷最多的太阳能电池单元的上方或下方。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元，所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多，所述玻璃衬底上具有透明导电氧化物镀膜玻璃层；

所述第一太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上，所述第一太阳能电池单元包括：水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元，位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层，其中，所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层；

所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上，所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层；

所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层，所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元，所述第一太阳能电池单元的缺陷最多，所述玻璃衬底上具有透明导电氧化物镀膜玻璃层；

所述第三太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上，所述第三太阳能电池单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层；

所述第一太阳能电池单元位于所述第三太阳能电池单元上，所述第一太阳能电池单元包括：水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元，位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层，其中，所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述第二型掺杂微晶硅半导体层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层；

所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上，所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂的非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂的微晶硅半导体层；

所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层，所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。