[发明专利]耐磨铣刀及其制备方法有效
申请号: | 201210131829.6 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102628157A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 甄洪宾 | 申请(专利权)人: | 赛屋(天津)涂层技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王来佳 |
地址: | 300308 天津市东丽区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐磨 铣刀 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于铣刀领域,尤其是一种耐磨铣刀及其制备方法。
背景技术
铣刀,是用于铣削加工的、具有一个或多个刀齿的旋转刀具。工作时各刀齿依次间歇地切去工件的余量。铣刀主要用于在铣床上加工平面、台阶、沟槽、成形表面和切断工件等,现有铣刀虽然能够进行铣削工作,但硬度差、摩擦系数高、使用寿命短,并且不可修磨,因此在使用中大幅度提高了加工生产成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种耐磨铣刀,该铣刀耐磨性强、结构简单、设计科学合理、成本较低、具有高硬度,自润滑、低摩擦系数,高表面光洁度的特性,而且耐干切削、耐氧化温度高。
本发明的另一个目的在于提供一种耐磨铣刀的制备方法。
本发明解决其技术问题是通过以下技术方案实现的:
一种耐磨铣刀,包括定位部、连接部以及刀头,连接部向下一体制出定位部,连接部向上一体制出刀头,其在刀头外壁均匀喷涂二硫化钼氮化钛复合薄膜。
而且,该二硫化钼氮化钛复合薄膜由内层至外层分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层,钛的扩散过渡层的厚度为250~1300nm,氮化钛支持层的厚度为500~800nm,二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000~1800nm。
一种耐磨铣刀的制备方法,其制备方法包括的步骤如下:
(1)、开启设备:将铣刀处理后露出刀头外壁放入真空室内的转盘上,使真空室压力为10e-2帕,开始升温,并保持温度在70-200℃;继续抽真空至小于6×10e-3帕为止;启动转盘,转盘转速1-3转/分钟;
(2)、铣刀清洗刻蚀:通入200-400标况毫升每分的氩气,使真空室内压力达到1.0-2.5帕;打开负偏压电源,对铣刀施加负偏压-800伏,占空比10-30%;时间10-20分钟;
(3)、抽气:关闭负偏压电源和氩气,抽真空至小于6×10e-3帕;
(4)、钛的扩散过渡层沉积:通入150-200标况毫升每分的氩气,保持真空度0.5-1.0帕,开启负偏压电源,-400--600伏,占空比40-60%,然后开启钛靶磁控电源,电流10-15安,时间10-20分钟后,降低负偏压至-150--300V,继续沉积,时间10-20分钟,形成钛的扩散过渡层;
(5)、氮化钛支持层沉积:逐步通入100-200标况毫升每分的氮气,关闭氩气,真空度保持不变,继续沉积,沉积时间30-60分钟,形成氮化钛支持层;
(6)、二硫化钼氮化钛复合层沉积:通入100-150标况毫升每分氩气,真空度0.5-1.2帕,开启二硫化钼磁控电源,磁控电流3-8安,沉积60-120分钟,形成二硫化钼氮化钛复合层;
(7)、保养:关闭所有气体,负偏压电源、钛靶磁控电源以及二硫化钼磁控电源,保持抽真空,控制真空度在10-3帕,10-30分钟,得到耐磨铣刀。
本发明的优点和有益效果为:
本耐磨铣刀,包括定位部、连接部以及刀头,连接部向下一体制出定位部,连接部向上一体制出刀头,其在刀头外壁均匀喷涂二硫化钼氮化钛复合薄膜,该二硫化钼氮化钛复合薄膜由内层至外层分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层,钛的扩散过渡层的厚度为250~1300nm,氮化钛支持层的厚度为500~800nm,二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000~1800nm,该结构简单、耐磨性强、设计科学合理、制作简单、成本较低、具有高硬度,低摩擦系数,高表面光洁度的特性,而且耐干切削、耐氧化温度高且膜-基结合力强。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步详述,以下实施例只是描述性的,不是限定性的,不能以此限定本发明的保护范围。
实施例1
一种耐磨铣刀,包括定位部3、连接部2以及刀头1,连接部向下一体制出定位部,连接部向上一体制出刀头,其在刀头外壁均匀喷涂二硫化钼氮化钛复合薄膜,该二硫化钼氮化钛复合薄膜由内层至外层分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层,钛的扩散过渡层的厚度为250nm,氮化钛支持层的厚度为500nm,二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000nm。
一种耐磨铣刀的制备方法,其制备方法包括的步骤如下:
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